更新时间：2022-07-15 13:33
DRIE，全称是Deep Reactive Ion Etching，中文是深反应离子刻蚀，是一种主要用于微机电系统的干法腐蚀工艺。
DRIE，全称是Deep Reactive Ion Etching，深反应离子刻蚀，一种微电子干法腐蚀工艺。
基于氟基气体的高深宽比硅刻蚀技术。
与反应离子刻蚀原理相同，利用硅的各向异性，通过化学作用和物理作用进行刻蚀。
不同之处在于：
两个射频源：将等离子的产生和自偏压的产生分离，有效避免了RIE
刻蚀中射频功率和等离子密度之间的矛盾；
刻蚀和钝化交替进行的Bosch工艺：实现对侧壁的保护，能够实现可
控的侧向刻蚀，可以制作出陡峭或其他倾斜角度的侧壁。
DRIE工艺步骤（Bosch工艺）： 钝化----刻蚀---钝化----刻蚀--
反应室中通入C4F8气体，通过化学反应形成聚合物薄膜；
刻蚀：反应室中通入SF6气体，进行物理和化学刻蚀。
刻蚀/钝化时间比
增大刻蚀/钝化时间比，侧壁形貌易呈现（c）图，
反之为（a）图，等比例减小刻蚀/钝化时间比不变，
可降低侧壁锯齿状痕迹的显著程度。
（a）上大下小结构
功率过小，离子轰击不足，会呈现。反
之。
压力高，离子碰撞损耗大，轰击作用不明显，如
离子间碰撞形成的散射还有可能对侧壁腰
部产生刻蚀，产生中间大、上下小的结构。
功率大则刻蚀速率高，反之则刻蚀速率低。