理想情况下，MIS结构满足：

1. 金属与半导体之间功函数差为零。即金属与半导体之间无电压，也就是说不会对绝缘层加压

2. 绝缘层内没有电荷存在，完全不导电

3. 绝缘层与半导体之间的界面处不存在任何界面态

工艺上需要通过直接金属硅化物接触或金属-绝缘层-半导体接触来实现降低接触电阻率。