更新时间：2023-12-09 10:49
侯晓远，男，1959年12月出生，山东肥城人，复旦大学教授，博士生导师，国家杰出青年科学基金获得者。1982年3月毕业于复旦大学物理系，获学士学位，1987年3月复旦大学物理系研究生毕业，同年获理学博士。毕业后留校任教。
侯晓远，男，复旦大学教授，博士生导师，国家杰出青年科学基金获得者。1987年毕业于复旦大学物理系获理学博士学位，留校任教。1991年升任副教授，1993年晋升为教授、博士生导师。1991年任复旦大学应用表面物理国家重点实验室副主任，1998年-2005年任主任。1995－2000 年度物理学报编委，中国物理快报第四届编委。现任中国物理学会常务理事、中国物理学会表面物理专业委员会主任。
曾多次获得各种奖励和称号，1988年第一届霍英东优秀青年奖；1991年被国务院授于 “做出突出贡献的中国博士学位获得者” 的荣誉称号；1994年获国家教委 “跨世纪人才基金” ；1995年获“国家杰出青年科学基金”资助 ；1996年获求是科技基金会 “杰出青年学者奖”，1997年获中国物理学会叶企孙物理奖。获国家教委科技进步二等奖4项，拥有国家发明专利3项。主要研究方向为半导体表面、界面物理实验研究。
主要从事有机、无极半导体表面与界面物理、硅基光电子物理、材料与器件实验的研究，在III-V族半导体表面原子结构和电子结构；GaAs表面钝化；异质外延生长GaN；多孔硅发光研究；有机半导体中激子和载流子行为等方面取得了丰富的研究成果。
曾任复旦大学应用表面物理国家重点实验室主任，物理学报编委，中国物理快报编委。任中国物理学会常务理事、中国物理学会表面物理专业委员会主任。
在有机半导体器件领域的科学研究保持与国际研究水平同步发展，在某些基础理论及关键技术上形成自己的特色。目前主要研究方向包括：（1）有机发光器件物理；（2）有机太阳能电池及相关物理研究；（3）其他新型有机半导体器件相关的基础研究；（4）利用同步辐射等表面分析手段开展表面和界面物理研究。已发表研究论文100余篇，论文被他引1200余次。已培养博士10余名、硕士近20名、博士后5名，目前在读博士生8名、硕士生4名。
代表性论文
Conductance-dependent negative differential resistance in organic memory devicesYou, YT, Wang, ML, Xuxie, HN, Wu, B, Sun, ZY, Hou, XY, Appl. Phys. Lett. 97 (2010) 233301.
Electron conductance of N,N '-bis-(1-naphthl)-diphenyl-1,1 '-biphenyl-4,4 '-diamine at low temperatures Gao, XD, He, Y, Zhang, ST, Yin, XR, Ding, BF, Ding, XM, Hou, XY, Appl. Phys. Lett. 95 (2009) 133306.
Mechanism of charge generation in p-type doped layer in the connection unit of tandem-type organic light-emitting devices,Gao XD, Zhou J, Xie ZT, Ding BF, Qian YC, Ding XM, Hou XY, Appl. Phys. Lett. 93 (2008) 083304.
Dissociation of excitons in the C-60 film studied by transient photovoltage measurements,Sun XY, Ding BF, Song QL, Zheng XY, Ding XM, Hou XY, Appl. Phys. Lett. 93 (2008) 063301.
Buffer-layer-induced barrier reduction: Role of tunneling in organic light-emitting devices,Zhang ST, Ding XM, Zhao JM, Shi HZ, He J, Xiong ZH, Ding HJ, Obbard EG, Zhan YQ, Huang W, Hou XY, Appl. Phys. Lett. 84 (2004) 425.