2023年7月31日，中共中国科学院党组中共上海分院分党组经研究，决定免去俞跃辉同志上海微系统与信息技术研究所党委书记、副所长职务，保留正局级。

长期从事离子注入合成SOI的结构表征、材料质量的改善、宏观性能与微观结构的关系研究及SOI器件工艺的研究。

作为SOI材料研发团队的负责人之一，共同创建了上海新傲公司 - 我国新一代硅基集成电路材料SOI生产基地。实现了SOI技术的重大突破和SOI材料的产业化并解决了我国SOI“有无”的问题。2005年获得上海市科技进步一等奖（第三完成人），2006年获得国家科技进步一等奖（第五完成人）。

（1） 中国科学院优秀导师, 部委级, 2018

（2） 中国电子教育学会优秀导师, 其他, 2018

（3） 亥姆霍兹联合会杰出国际科技合作奖Helmholtz International Fellow Aw, 一等奖, 专项, 2013

（4） 高端硅基SOI材料研究, 院级, 2007

（5） 高端硅基SOI材料研发和产业化, 一等奖, 国家级, 2006

（ 1 ） 高K栅介质材料, 主持, 国家级, 2009-06--2011-12

（ 2 ） 20-14nm技术代关键材料技术和产品开发2014ZX02301003, 主持, 国家级, 2016-01--2018-12

（ 3 ） Ⅲ-Ⅴ族半导体衬底上铪基高k栅介质界面特性研究, 参与, 国家级, 2012-01--2015-12

（ 4 ） 针对多层MoS2的低能等离子体可控掺杂机理及原位缺陷修饰研究, 参与, 国家级, 2018-01--2020-12

（ 5 ） ALD等离子体系统原位钝化SiC界面及快慢双能态陷阱共轭抑制机理研究, 参与, 国家级, 2021-01--2024-12

（ 6 ） LY, 主持, 国家级, 2020-01--2021-12

（ 1 ） 一种SOI基p-GaN增强型GaN功率开关器件的制备方法, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN111739801B

（ 2 ） 一种SOI基凹栅增强型GaN功率开关器件的制备方法, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN111739800B

（ 3 ） 基于界面钝化层的MOS电容器及其制备方法, 2020, 第 9 作者, 专利号: CN107507829B

（ 4 ） 沟槽型MOSFET功率器件及其制作方法, 2020, 第 8 作者, 专利号: CN107564964B

（ 5 ） 一种MOS功率器件及其制备方法, 2020, 第 8 作者, 专利号: CN107393814B

（ 6 ） SiC器件栅介质层及SiC器件结构的制备方法, 2019, 第 8 作者, 专利号: CN107527803B

（ 7 ） 基于AlGaN/p-GaN沟道的增强型纵向功率器件及制作方法, 2019, 第 7 作者, 专利号: CN110277445A

（ 8 ） 一种基于SOI-量子点异质结的红外探测器制备方法, 2019, 第 9 作者, 专利号: CN107359221B

（ 9 ） 基于AlGaN/p-GaN沟道的增强型纵向功率器件, 2018, 第 7 作者, 专利号: CN207938616U

（ 10 ） 一种高压模拟集成开关电路, 2018, 第 7 作者, 专利号: CN105827224B

（ 11 ） 一种基于SOI工艺的电池管理芯片电路, 2018, 第 6 作者, 专利号: CN105680107B

（ 12 ） 基于氟化石墨烯钝化的AlGaN/GaN HEMT器件及制作方法, 2018, 第 9 作者, 专利号: CN105304689B

（ 13 ） 一种利用金属/氧化物双层掩膜结构刻蚀SiC的方法, 2017, 第 9 作者, 专利号: CN107275196A

（ 14 ） SiC-LDMOS功率表器件及其制备方法, 2016, 第 9 作者, 专利号: CN106158933A

（ 15 ） 一种基于薄膜半导体-石墨烯异质结的光电探测器制备方法, 2015, 第 8 作者, 专利号: CN105206689A

（ 16 ） 一种水基ALD诱使的可逆N型石墨烯制备方法, 2015, 第 8 作者, 专利号: CN105129788A

（ 17 ） 基于Metal/Insulator/AlGaN/GaN叠层MIS结构的负微分电阻器件及制备方法, 2015, 第 8 作者, 专利号: CN104599975A

（ 18 ） 一种基于ALD的石墨烯基热电子晶体管及其制备方法, 2014, 第 8 作者, 专利号: CN103985741A

（ 19 ） 一种基于电流模的总线接收器, 2014, 第 6 作者, 专利号: CN203595959U

（ 20 ） 一种抗EMI LIN总线信号驱动器, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN103684398A

（ 21 ） 一种电流模比较器, 2014, 第 7 作者, 专利号: CN103618525A

（ 22 ） 一种总线信号接收器, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN103607337A

（ 23 ） 一种多栅SOI-LDMOS器件结构, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103594517A

（ 24 ） 在石墨烯表面制备栅介质的方法, 2013, 第 6 作者, 专利号: CN102956467A

（ 25 ） 一种SOI RESURF超结器件结构及其制作方法, 2013, 第 7 作者, 专利号: CN103021864A

（ 26 ） 一种SJ-IGBT器件结构及其制作方法, 2013, 第 7 作者, 专利号: CN102969244A

（ 27 ） 在InP衬底上制备高K栅介质薄膜和MIS电容的方法, 2012, 第 8 作者, 专利号: CN102760657A

（ 28 ） 一种在GaAs衬底上制备Hf基高K栅介质薄膜的方法, 2012, 第 8 作者, 专利号: CN102664147A

（ 29 ） 一种内嵌多N岛P沟道超结器件及其制备方法, 2012, 第 8 作者, 专利号: CN102623345A

（ 30 ） 一种内嵌多P岛N沟道超结器件及其制备方法, 2012, 第 8 作者, 专利号: CN102593007A

（ 31 ） 一种高k介质薄膜的制备方法, 2012, 第 8 作者, 专利号: CN102592974A

（ 32 ） 一种MIS电容的制作方法, 2012, 第 8 作者, 专利号: CN102569070A

（ 33 ） 一种基于SOI的ESD保护器件及其制作方法, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN102201404A

（ 34 ） 一种基于图形化的SOI-ESD保护器件及其制作方法, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN102201405A

（ 35 ） 一种具有缓冲层的SOI超结LDMOS器件, 2011, 第 7 作者, 专利号: CN102130176A

（ 36 ） 一种具有缓冲层的SOI超结LDMOS器件制作方法, 2011, 第 7 作者, 专利号: CN102130013A

（ 37 ） 基于SOI材料的MOS电容器及其制作方法, 2011, 第 7 作者, 专利号: CN102254821A

（ 38 ） 一种一维尺度受限的石墨烯纳米带的制备方法, 2011, 第 6 作者, 专利号: CN102254795A

（ 39 ） 石墨烯纳米带的制备方法, 2011, 第 6 作者, 专利号: CN102243990A

（ 40 ） 沉积栅介质的方法、制备MIS电容的方法及MIS电容, 2011, 第 7 作者, 专利号: CN102226270A

（ 41 ） 石墨烯基场效应晶体管的制备方法, 2011, 第 7 作者, 专利号: CN102184849A

（ 42 ） SOI超结LDMOS器件的LDD、LDS及缓冲层一体化制作方法, 2011, 第 7 作者, 专利号: CN102130012A

（ 43 ） 一种基于SOI衬底的高介电常数材料栅结构及其制备方法, 2011, 第 6 作者, 专利号: CN101950758A

（ 44 ） 基于SOI衬底的高介电常数材料栅结构及其制备方法, 2011, 第 6 作者, 专利号: CN101950757A

（ 45 ） 具有沟槽结构的SOI高压功率器件芯片的制备方法, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN101944505A

（ 46 ） 一种具有多层超结结构的LDMOS器件, 2010, 第 6 作者, 专利号: CN101916780A

（ 47 ） 一种改善高阻SOI衬底上高介电常数栅介质性能的方法, 2010, 第 6 作者, 专利号: CN101924030A

（ 48 ） 一种具有线性缓冲层的SOI超结LDMOS制作方法, 2010, 第 6 作者, 专利号: CN101916730A

（ 49 ） 具有多层超结结构的SOI LDMOS器件制作方法, 2010, 第 6 作者, 专利号: CN101916729A

（ 50 ） 可完全消除衬底辅助耗尽效应的SOI超结LDMOS结构的制作工艺, 2010, 第 6 作者, 专利号: CN101916728A

（ 51 ） 一种SOI埋氧层下的导电层及其制作工艺, 2010, 第 6 作者, 专利号: CN101916761A

（ 52 ） 可完全消除衬底辅助耗尽效应的SOI超结LDMOS结构, 2010, 第 6 作者, 专利号: CN101916779A

（ 53 ） SOI高压功率器件的制备方法, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101916727A

（ 54 ） 一种基于垂直栅SOI CMOS器件的超结结构及其制作方法, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101789435A

（ 55 ） 一种具有垂直栅结构的SOI CMOS器件, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101777564A

（ 56 ） 一种可调节垂直栅SOI CMOS器件沟道电流的叉指型结构, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101764136A

（ 57 ） 一种具有垂直栅结构的SOI CMOS器件的制作方法, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101764102A

（ 58 ） 局部绝缘体上的硅制作功率器件的结构及实现方法, 2007, 第 2 作者, 专利号: CN100342549

（1） Silicon: quantum dot photovoltage triodes, NATURE COMMUNICATIONS, 2021, 第 13 作者

（2） Graphene-induced positive shift of the flat band voltage in recessed gate AlGaN/GaN structures, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2021, 第 8 作者

（3） Optimized JFET regions of 4H-SiC VDMOS with reduced on-resistance and improved gate oxide reliability, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2020, 第 6 作者

（4） 带有修调的分段曲率补偿带隙基准电路, Piecewise curvature compensated bandgap reference circuit with trimming procedure, 哈尔滨工业大学学报, 2020, 第 5 作者

（5） PbS colloidal quantum dots patterning technique with low vertical leakage current for the photodetection applications, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2020, 第 9 作者

（6） Plasma-enhanced atomic layer deposition of SiO2 for channel isolation of colloidal quantum dots phototransistors, SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2019, 第 9 作者

（8） 高阻硅基GaN晶片上MIS栅结构GaN HEMT射频器件研制, Research of MIS Gate GaN HEMT RF Devices on GaN Epitaxially-grown on High Resistance Si Substrate, 微波学报, 2019, 第 5 作者

（9） Band alignment regulation of HfO2/SiC heterojunctions induced by PEALD with in situ NH3-plasma passivation, PHYSICS LETTERS A, 2019, 第 9 作者

（10） 带有固定延迟时间的IGBT去饱和过流检测电路, IGBT DESAT Overcurrent Detection Circuit with Fixed Delay Time, 半导体技术, 2019, 第 5 作者

（11） Ambipolar Graphene-Quantum Dot Phototransistors with CMOS Compatibility, ADVANCED OPTICAL MATERIALS, 2018, 其他（合作组作者）

（12） 基于IGBT栅极米勒平台的新型电流过载检测技术, IGBT over-load detection technique via Miller plateau voltage monitoring, 仪器仪表学报, 2018, 第 5 作者

（13） p-GaN在不同掩膜和刻蚀气体中的ICP刻蚀, Inductively Coupled Plasma Etching of p-GaN Using Different Masks and Etching Gases, 半导体技术, 2018, 第 7 作者

（14） Enhanced interfacial and electrical characteristics of 4H-SiC MOS capacitor with lanthanum silicate passivation interlayer, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2017, 第 10 作者

（15） Performance Improvement and Current Collapse Suppression of Al2O3/AlGaN/GaN HEMTs Achieved by Fluorinated Graphene Passivation, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2017, 第 9 作者

（16） 退火温度对Au / Ti / 4H-SiC肖特基接触特性的影响, Effects of Annealing Temperature on the Characteristics of Au / Ti / 4H-SiC Schottky Contact, 半导体技术, 2017, 第 4 作者

（17） Interface engineering of an AlNO/AlGaN/GaN MIS diode induced by PEALD alternate insertion of AlN in Al2O3, RSC ADVANCES, 2017, 第 8 作者

（18） Morphology improvement of SiC trench by inductively coupled plasma etching using Ni/Al2O3 bilayer mask, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2017, 第 10 作者

（19） Negative differential resistance in the I-V curves of Al2O3/AlGaN/GaN MIS structures, RSC ADVANCES, 2016, 第 9 作者

（20） Semiconductor-like nanofilms assembled with AlN and TiN laminations for nearly ideal graphene-based heterojunction devices, JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, 2016, 第 8 作者

（21） 一种快速转换的过温保护电路, A Fast-Transition Over-Thermal Protection Circuit, 半导体技术, 2016, 第 3 作者

（22） Controlled direct growth of Al2O3-doped HfO2 films on graphene by H2O-based atomic layer deposition, PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS, 2015, 第 3 作者

（23） Direct growth of sb2te3 on graphene by atomic layer deposition, RSC ADVANCES, 2015, 第 8 作者

（24） Fluorinated graphene in interface engineering of ge-based nanoelectronics, ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS, 2015, 第 6 作者

（25） Property transformation of graphene with Al2O3 films deposited directly by atomic layer deposition, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2014, 第 6 作者

（26） Al2O3-Gd2O3 double-films grown on graphene directly by H2O-assisted atomic layer deposition, RSC ADVANCES, 2014, 第 9 作者

（27） Properties of HfLaO MOS capacitor deposited on SOI with plasma enhanced atomic layer deposition, JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A, 2014, 第 9 作者

（28） Effects of rapid thermal annealing on properties of HfAlO films directly deposited by ALD on graphene, MATERIALS LETTERS, 2014, 第 8 作者

（29） Experimental Investigation on Alloy Scattering in sSi/Si0.5Ge0.5/sSOI Quantum-Well p-MOSFET, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2014, 第 7 作者

（30） Properties of HfO2/La2O3 nanolaminate films grown on an AlGaN/GaN heterostructure by plasma enhanced atomic layer deposition, RSC ADVANCES, 2014, 第 10 作者

（31） Improvement of Al2O3 Films on Graphene Grown by Atomic Layer Deposition with Pre-H2O Treatment, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2014, 第 9 作者

（32） Multi-Gates SOI LDMOS for Improved on-state Performance, 2014 IEEE 26TH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON POWER SEMICONDUCTOR DEVICES & IC'S (ISPSD), 2014,

（33） PEALD HfO_2栅介质薄膜的界面优化及其特性表征, Interface Optimization and Characterization of PEALD HfO_2 Gate Dielectric Film, 半导体技术, 2013, 第 6 作者

（34） Total-Dose Radiation Response of HfLaO Films Prepared by Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition, IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2013, 第 8 作者

（35） ON-Resistance Degradation Induced by Hot-Carrier Injection in SOI SJ-LDMOS, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2013, 第 6 作者

（36） Characterization of HfO2/La2O3 layered stacking deposited on Si substrate, JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2013, 第 7 作者

（37） Competitive Si and La effect in HfO2 phase stabilization in multi-layer (La2O3)(0.08)(HfO2) films, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 第 3 作者

（38） 采用水基原子层沉积工艺在石墨烯上沉积A12O3介质薄膜研究, Studies on H2O-based Atomic Layer Deposition of Al2O3 Dielectric on Pristine Graphene, 无机材料学报, 2012, 第 8 作者

（39） Properties of a Ni-FUSI gate formed by the EBV method and one-step RTA, Properties of a Ni-FUSI gate formed by the EBV method and one-step RTA, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2012, 第 7 作者

（40） 薄膜SOl上大于600 V LDMOS器件的研制, Study of LDMOS Device over 600 V on Thin Film SOI, 半导体技术, 2012, 第 6 作者

（41） 薄膜SOI上大于600 V LDMOS器件的研制, 半导体技术, 2012, 第 6 作者

（42） 采用水基原子层沉积工艺在石墨烯上沉积Al_2O_3介质薄膜研究, 无机材料学报, 2012, 第 8 作者

（43） 基于SCR的SOI ESD保护器件研究, SCR based ESD protection in SOI technologies, 功能材料与器件学报, 2012, 第 7 作者

（44） Realization of 850 V breakdown voltage LDMOS on Simbond SOI, MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2012, 第 6 作者

（45） Plasma enhanced atomic layer deposition of HfO2 with in situ plasma treatment, MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2012, 第 7 作者

（46） Al_2O_3对应变SiGe上HfO_2薄膜的热稳定性和电学可靠性的影响（英文）, Effects of Al_2O_3 on Thermal Stability and Electrical Reliability of HfO_2 Film on Strained SiGe, 稀有金属材料与工程, 2011, 第 6 作者

（47） Effects of Al2O3 on Thermal Stability and Electrical Reliability of HfO2 Film on Strained SiGeOriginal, Xiyou Jinshu Cailiao Yu Gongcheng/Rare Metal Materials and Engineering., 2011, 第 6 作者

（48） 反转胶lift—Off工艺制备堆栈电感, Fabrication of stacked inductor by inversion photoresist lift - off process, 功能材料与器件学报, 2010, 第 6 作者

（49） A novel GAAC FinFET transistor: device analysis, 3D TCAD simulation, and fabrication, A novel GAAC FinFET transistor: device analysis, 3D TCAD simulation, and fabrication, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2009, 第 4 作者

（50） 一种新型混合晶向积累型圆柱体共包围栅互补金属氧化物场效应晶体管, A novel accumulation mode complementary GAAC FinFETs inverter with hybrid orientation SOl substrate, 科学通报, 2009, 第 7 作者

（51） Engineering of interfacial layer between HfAl 2O 5 dielectric film and Si with a Ti-capping layer, THIN SOLID FILMS, 2008, 第 4 作者

（52） 适用于按比例缩小至亚10nm的圆柱体全包围栅场效应管仿真, Simulation of Gate-All-Around Cylindrical Transistors for Sub-10 Nanometer Scaling, 半导体学报, 2008, 第 5 作者

（53） 适用于按比例缩小至亚10nm的圆柱体全包围栅场效应管仿真（英文）, 半导体学报, 2008, 第 5 作者

（54） 适用于按比例缩小至亚10nm的圆柱体全包围栅场效应管仿真, Simulation of Gate-All-Around Cylindrical Transistors for Sub-10 Nanometer Scaling, 半导体学报, 2008, 第 5 作者

（55） SOI LDMOS功率器件的研究与制备, Design and Fabrication of LDMOS Power Device on SOI Substrate, 微处理机, 2007, 第 4 作者

（56） 氮元素对高k铪基介电薄膜总剂量抗辐射性能的影响研究, Effects of nitrogen element on total-dose irradiation response of high-k Hf-based dielectric films, 核技术, 2007, 第 5 作者

（57） Effects of nitrogen element on total-dose irradiation response of high-k Hf-based dielectric films, He Jishu/Nuclear Techniques, v 30, n 8, August, 2007, 2007, 第 5 作者

（58） 利用改善的体连接技术制备SOILDMOSFET, Improved Body Contact Technology for SOI LDMOSFET Fabrication, 半导体技术, 2006, 第 3 作者

（59） 高性能HfAlO介质薄膜的制备, Preparation of High-Quality Hf-Aluminate Films by EB-PVD, 稀有金属材料与工程, 2006, 第 3 作者

（60） 适合基站放大器应用的图形化SOILDMOSFET的设计与分析, 温州师范学院学报(自然科学版), 2006, 第 4 作者

（61） Characteristics of HfxSiyO films grown on Si0.8Ge0.2 layer by electron-beam evaporation, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2006,

（62） 新型PSOI LDMOSFET的结构优化, Optimization of PSOI LDMOSFET Structure, 半导体技术, 2006, 第 3 作者

（63） 适合基站放大器应用的图形化SOI LDMOSFET的设计与分析, A Novel LDMOS Power Amplifier in Patterned-SOI Technology for Base Station Applications, 温州师范学院学报, 2006, 第 4 作者

（64） 离子束增强沉积法制备二氧化铪薄膜, Investigation of Hafnium Dioxide Film Synthesized by lon Beam Enhanced Deposition, 半导体技术, 2006, 第 2 作者

（65） CH4＋Ar混合等离子体注入新工艺, 压电与声光, 2005, 第 2 作者

（66） 高性能图形化SOI功率器件的研制, Fabrication of high performance patterned SO1 power device, 功能材料与器件学报, 2005, 第 4 作者

（67） 高温碳离子注入形成碳化硅埋层的结构研究, 功能材料与器件学报, 2004, 第 2 作者

（68） 新型图形化 SOI LDMOS结构的性能分析（英文）, 半导体学报, 2004, 第 4 作者

（69） 在SOI材料上制备高质量的氧化铪薄膜, 功能材料, 2004, 第 3 作者

（70） 新型图形化SOI LDMOS结构的性能分析, 半导体学报, 2004, 第 4 作者

（71） 用IBED方法在SOI上制备高质量的氧化铪薄膜, 第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会论文集, 2003, 第 3 作者

（72） 电绝缘用ta-C薄膜的微观结构与电学特性, 功能材料与器件学报, 2003, 第 2 作者

（73） Ge—SiO2薄膜的结构及其发光特性的研究, 功能材料与器件学报, 2002, 第 5 作者

（74） Tetrahedral amorphous-carbon thin films for silicon-on-insulator application, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2002,

（75） 低剂量SOI圆片的无损电学表征测试, 功能材料与器件学报, 2002, 第 2 作者

（76） 退火温度对Ge-SiO_2簿膜的结构和发光特性的影响, 第四届中国功能材料及其应用学术会议论文集, 2001, 第 5 作者

（77） OPTICAL PROBING OF FREE-CARRIER PLASMA EFFECTS OF MEV ION-IMPLANTED SILICON, CHINESE PHYSICS LETTERS, 1995, 通讯作者

（78） 高能离子注入硅形成导电埋层的光学表征, 中国科学(A辑 数学 物理学 天文学 技术科学), 1994, 第 1 作者

（79） 氧离子和氮离子共注人硅形成绝缘埋层的微观结构及其光学性质, 电子科学学刊, 1991, 第 1 作者

（80） 氧离子和氮离子共注入硅形成SOI结构的俄歇能谱研究, 半导体学报, 1991, 第 1 作者

（81） SIMNI和SIMOX多层结构及其光学性质的研究, 中国科学(A辑 数学 物理学 天文学 技术科学), 1990, 第 2 作者

（82） 多层结构薄膜材料的离子束合成及其物理性质研究, 1989, 第 1 作者