光学带隙（opticalbandgap） 非晶态半导体的本征吸收边附近的吸收曲线通常分为三个区域：价带扩展态到导带扩展态的吸收为幂指数区；价带扩展态到导带尾的吸收为指数区；价带尾到导带尾的吸收为弱吸收区。非晶半导体的带隙没有明确的定义。定义其光学带隙的简单方法是E03或E04，即吸收系数为103cm-1或104cm-1时所对应的光子能量。物理意义较明确的定义方法是Tauc带隙，主要考虑幂指数区的带-带吸数，此时α(hv)∝c(hv-Eg)γ，C和γ与能带结构有关，对于抛物线形能带结构γ取2，由(αhv)1/2～hv关系曲线求得的Eg称为Tauc带隙。