大多数的GaAs工艺技术的开发都是围绕着剥离技术（Liftoff）来进行的，而不是刻蚀工艺。

剥离技术的工艺过程为：首先涂上厚的光刻胶并形成图案，接下来使用蒸发技术淀积一层金属薄层。蒸发的一个特点是对大深宽比图形的覆盖性差。如果在光刻胶上得到了一个凹角的剖面，则金属条保证会断线。接下来将晶圆片浸到能溶解光刻胶的溶液里，直接淀积在半导体表面上的金属线将被保留，而淀积在光刻胶上的金属将随着光刻胶的溶解而从晶圆片上脱离。这样就避免了对衬底的刻蚀损伤，并且由于无限大的选择性，金属图形不会出现底切。由于这个工艺的最简单形式，只需要一个腐蚀槽和可能的超声波震动，因此被广泛地应用于实验室的研究工作中。

剥离工艺有几个缺点。首先，由于所设计的金属淀积工艺具有很差的阶梯覆盖性，因此其表面形貌必须非常光滑。这就使得这种工艺或者只能限于一层金属化，或者在剥离形成图形前的每一层都必须进行平坦化的处理。这实际上限制了溅射的使用。另一个严重的问题是剥离的金属，形成残留在槽里的固体和漂浮物。其中几种是极易淀积在晶圆表面的。除非图案很简单，否则剥离还存在着合格率的问题。