一种短沟道的功率场效应晶体管。简称 SIT。为区别起见， 一般不把它归入功率场效应晶体管类。SIT通常采用 n沟道的结型场效应结构。图1为这种SIT的符号，G、D、S分别代表栅极、漏极和源极。　SIT有平面型、埋沟型等几种。图2为平面型SIT的部分剖面结构。该器件源极的n型半导体被栅极的p型半导体所围，漏极电流IDS必须通过这一窄小的沟道。在栅极与源极间加大负电压VGS时,会使上述沟道变窄以至消失，结果便在原沟道位置形成了一个阻止电子通过的位垒。漏极电压VDS对这一位垒也有影响，但作用远不如栅极明显。改变栅极的电压，便可控制流过源极和漏极间的电流。图3是该器件的输出特性，反映了栅极的控制作用和一定栅极电压下漏极电流与电压的关系。从图3中可以看到，为截止漏极电流，需要栅极电压有足够的负值，较高的漏极电压需要有更大负值的栅极电压；一旦SIT导通，漏极和源极间相当于一个小电阻。