更新时间：2022-08-25 10:33
动态随机存储器(dynamic random access memory) 采用动态存储单元的随机存储器，简称DRAM或动态RAM。
动态随机存取存储器，最为常见的系统内存，即DRAM（Dynamic Random Access Memory）。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。 关机就会丢失数据。
一般计算机系统使用的随机存取内存(RAM)可分动态(DRAM)与静态随机存取内存(SRAM)两种，差异在于DRAM需要由存储器控制电路按一定周期对存储器刷新，才能维系数据保存，SRAM的数据则不需要刷新过程，在上电期间，数据不会丢失。
动态RAM的总体结构和工作原理与静态RAM(见随机存储器)的区别是，存储矩阵采用了动态存储单元。静态触发器是靠电路状态的反馈自锁保存数据，动态存储单元则是通过在电容上存储电荷保存数据。
动态存储单元的电路结构有各种型式，最简单的一种是图所示的单管动态存储单元。
在写入数据时字线给出高电平，MOS管VT导通，位线上的电压信号经VT向电容C充电，将数据存入C中。读出时字线同样给出高电平，使VT导通，电容C经VT向位线上的寄生电容CB充电，使位线获得读出信号。
动态存储单元的电路结构简单，集成度比静态RAM高得多。但是，电容C上的电荷不可能长久保存，要及时向电容补充电荷，以免数据丢失。为此，在动态RAM中设置了“刷新”控制电路，用于周期性地将存储矩阵里的数据读出，经过放大后重新写入。这不仅增加了控制电路的复杂性，也严重地影响了读/写速度，使动态RAM的工作速度远低于静态RAM。