单片集成电路从小、中规模发展到大规模、超大规模集成电路，使平面工艺得到相应的发展。如掺杂技术由扩散改为离子注入，常规紫外光刻发展到电子束曝光、等离子体刻蚀和反应离子铣，常规气相外延改为超高真空分子束外延，采用化学气相沉积制造二氧化硅和多晶硅膜等。单片集成电路除向更高集成度发展外，也正向着线性、大功率、高频电路和模拟电路方向发展。