更新时间：2024-08-27 22:27
该公司资本额403亿台币，员工人数约4000人，总公司位于华亚科技园区，生产基地为一座八吋晶圆厂及一座十二吋晶圆厂，分别位于桃园南崁及泰山南林园区。南亚科技多年来专注于研发及智慧财产权的建立，并已培养近800人的研发团队。
在制程进度上，南亚科技的42纳米制程技术已于2010年第四季开始量产，计划于2011年中全数可转换至42纳米(不包含部份为利基型内存产品线所保留的产能)，以2Gb DDR3芯片生产为主，将于下半年导入4Gb DDR3的产品。3X纳米制程技术规划将于今(2011)年第二季导入投片。南亚科技致力拥有自主技术及经营自有品牌，并持续强化高附加价值利基型(非标准型)内存战线，期能进一步提升台湾DRAM产业在国际的竞争力。
为提升技术力与竞争力，南亚科技于2008年4月与美国美光公司(Micron)签订10年共同研发合约，共同致力于先进制程技术，开发更高附加价值产品。南亚科技与美国美光公司(Micron)签订50纳米以下制程技术共同开发合约，自2008年12月起共同分享华亚科技的产出。华亚科技已于2010年第四季完成50纳米技术转换，并达产能满载每月13万片之投片。华亚科技计划于2011年第一季开始42纳米量产，且于2011年年中完成绝大多数的产能转换。此策略联盟，与美光共同研发，同时在台湾培养本土的研发人才，使技术在台生根，以达到永续经营的目标。
「技术生根，永续经营」
致力于先进技术与产品的开发。同时在台湾培养本土的研发人才，使技术在台湾生根，永续发展。
充分利用已开发完成的先进制程技术，提升产品的价值，达到求取最大获利的目标。
经营目标 :
跻身成为世界一流DRAM内存及相关产品制造服务供货商，以两位数的全球市场占有率为目标。
南亚科技除巩固其在标准型内存市场市占率外，更积极经营利基型（非标准型）内存市场，包括服务器用内存、消费型内存及行动式内存(Mobile RAM)三大核心产品线的研发、生产及销售。在服务器用内存及消费型内存领域已有优异成绩表现，且行动式内存领域正逐渐茁壮。预期这些高附加价值产品在2011年占总营业额比重可提高至三成以上，可为南科销售量带来逐月成长，且期许2012年能挑战营收过半的策略目标。非标准型内存利润较高且市场稳定，属高附加价值的产品，南科致力强化该内存战线，期能进一步提升台湾DRAM产业在国际的竞争力。
经营策略 :
秉持台塑企业「追根究柢，实事求是」之经营理念，南科致力于拥有自主技术及经营自有品牌。
南科与美光采共同研发，目标在2012年达到自主研发目标。
南科长期经营自有品牌，品牌销售占出货量超过90% ，其中OEM客户(如联想、宏碁、华硕、 HP 、 Dell等)占75%，且在供货商评比中名列前茅。
在台湾设立制程技术研发中心，与技术伙伴美光同步研发，并以最先进的技术，于最大的生产基地量产，获得最大利益。
南亚科技认知技术发展为经营内存产业的命脉，于2008年4月与美国美光(Micron)签订50纳米以下制程与产品共同开发合作，共同致力于先进制程与产品的开发。50纳米世代正在导入生产中，42纳米预计2010年下半年开始量产，30纳米正在研发中。我们与美光公司共同研发，同时在台湾培养本土的研发人才，使技术在台湾生根，以达到永续经营的目标。
南亚科技深知企业欲永续生存，须以顾客导向作为经营基础。我们将不断地投注于制程技术的提升，与借由有效的员工训练，使文件、操作程序、原物料、制程环境、量测仪器、与制程控制等能趋于完整与一致，以求取更高的质量保证标准，提供更优质的服务。
「我们秉持追根究底、实事求是的精神，精益求精，以满足客户对产品质量、交期及服务的需求。」 －－－连日昌 总经理
质量承诺
提供满足客户对产品质量、交期及服务之需求为本公司对客户之承诺与努力达成之目标，此一承诺与目标将依ISO 9001 及 ISO/TS 16949质量管理系统为最高指导原则及各部门作业之依据，透过全员参与使全体人员了解并贯彻实施质量政策
质量系统
为有效整合企业的组织、责任、程序、过程与资源等质量管理活动，作为达成既定政策及目标的手段，质量系统的建立，应满足下列的功能发展：
质量系统能为公司员工（视各单位职能别）了解且有效运作。
提供满足客户的产品。
强调事前预防而非事后追查。
5月 南亚塑料股份有限公司与日本冲电气株式会社(OKI)签订16Mb DRAM技术移转合约
1月 晶圆一厂动土兴建
3月 南亚科技正式成立于1995年3月4日
4月 与日本冲电气株式会社(OKI)、南亚塑料股份有限公司签订三方面备忘录，承接原南亚塑料与OKI 16Mb DRAM技术案之所有权利义务
7月 16Mb DRAM试产成功
10月 正式销售开始
11月 与日本冲电气株式会社(OKI)签订0.36 ~ 0.32微米(μm) 64Mb DRAM技术授权合约投资于美国硅谷成立产品设计公司GSI
6月 获得劳氏ISO-9002品质认证
7月 南亚科技美国分公司NTC-USA成立
8月 64Mb DRAM投片试产
4月 晶圆二厂动土兴建
11月 与IBM公司签订0.2~0.175微米(μm) 64~256Mb DRAM技术移转合约公司单月营业额突破新台币10亿元
12月 获得劳氏ISO-14001环境系统管理认证成立美国德州休斯敦产品设计中心
10月 0.20微米(μm) 64Mb SDRAM 开始量产
2月 晶圆二厂开始投片试产
8月 128Mb SDARM及DDR DRAM试产成功
8/17南亚科技正式在台湾挂牌上市
10月 与IBM公司签订0.14/0.11微米(μm)共同研发合约
12月 二厂获得劳氏ISO-9001品质认证
1月 通过IBM Tier 1质量系统验证
5月 与SST公司签订0.25/0.18微米(μm)代工及高阶闪存共同研发合约
6月 全面量产0.175微米(μm) 128Mb/256Mb DRAM
4月 成立南亚科技(香港)股份有限公司
9月 成立日本东京分公司
11月 与德国英飞凌公司签订0.09 / 0.07 微米共同研发技术合约，并合资设立12吋晶圆厂「华亚科技」
12月 华亚科技破土典礼
二厂获ISO-14001认证
一厂&二厂获OHSAS 18001认证
1月 成立德国分公司
成立昆山办事处
12月华亚科技正式装机典礼
5月 南亚科技通过DDR2产品Intel AVL认证
10月 华亚科技月产能达到24,000片，以0.11mn制程技术为主
12月 90纳米DDR2开始投片试产
4月 高阶服务器用DDR2内存模块通过国际大厂认证，进军服务器用内存市场
华亚科技上兴柜挂牌
5月 华亚科技第二座12吋晶圆厂动土
6月 90纳米技术研发成功并通过认证
9月 与英飞凌签订60纳米共同研发技术合约
3月 第一座十二吋厂，晶圆三厂动土兴建
9月 70/75纳米(与奇梦达共同研发)技术成功通过认证
10月 南亚科（上海）科技贸易限公司成立
3月 三A厂无尘室兴建
5月 三A厂机台设备Move-in
10月 90纳米制程量产
4月 与美光科技签署共同研发技术合约
11月 南科3A厂70纳米制程达到第一期全产能3万4千片
12月 南科三厂通过英国劳氏(Lloyd’s)ISO14001环境管理系统认证及OHSAS 18001安全卫生管理系统认证
6月 完成减资66%并增资台币122亿元，增资后资本额为台币257亿元
6月 导入68纳米堆栈式制程技术生产1Gb DDR3产品
7月 导入50纳米堆栈式制程技术生产1Gb DDR3产品
12月 完成现金增资新台币160亿元，增资后资本额为新台币340亿元
7月 7月5日成功试产42纳米制程技术
10月 42纳米制程技术于第4季开始量产
12月 完成现金增资新台币99亿元，增资后资本额为新台币403亿元
2023年1月，位列《2022年胡润中国500强》排名第313位。