更新时间：2022-08-26 10:14
双基极二极管的制作过程：在一块高电阻率的N型半导体基片的两端各引出一个铝电极，如图4—9中的图c所示，分别称为第一基极B1和第二基极B2，然后在N型半导体基片一侧埋入P型半导体，在两种半导体的结合部位就形成了一个PN结，再在P型半导体端引出一个电极，称为发射极E。
双基极二极管的等效电路如图4—9中的图d所示。双基极二极管B1、B2极之间为高电阻率的N型半导体，故两极之间的电阻RBB较大(约4—12千欧)，以PN结为中心，将N型半导体分为两部分，PN结与B1极之间的电阻用RB1表示，PN结与B2极之间的电阻用RB2表示，RBB=RB1+RB2，E极与N型半导体之间的PN结可等效为一个二极管，用VD表示。
双基极二极管的参数有多个，主要参数分压比、峰点电压与电流、谷点电压与电流、调制 极二极管的命各方法电流和耗散功率为例讲解。
（1）分压比。分压比h是指双基极二极管发射极E至第一基极B1间的电压（不包括PN结管压降）占两基极问电压的比例，是双基极二极管很重要的参数，一般在0.3~0.9，是由管子内部结构所决定的常数。
（2）峰点电压与电流。峰点电压是指双基极二极管刚开始导通时的发射椒E与第一基极B1间的电压，其所对应的发射极电流叫作峰点电流。
（3）谷点电压与电流。谷点电压是指双基极二极管由负阻区开始进入饱和区时的发射极E与第一基极B1间的电压，其所对应的发射极电流叫作谷点电流。
（4）调制电流。调制电流是指发射极处于饱和状态时，从双基极二极管第二基极B2流过的电流。
（5）耗散功率。耗散功率是指双基极二极管第二基极的最大耗散功率。这是一项极限参数，使用中双基极二极管实际功耗应小于P瞠M并留有一定余量，以防损坏。
(1)检测两基极间电阻。
万用表置于“R×1k”挡，两表笔(不分正、负)接双基极二极管除发射极E以外的两个引脚，读数应为3-10千欧。
(2)检测PN结。
1)检测PN结正向电阻时(以N型基极管为例，下同)，黑表笔(表内电池正极)接发射极E，红表笔分别接两个基极，读数均应为几千欧。
2)检测PN结反向电阻时。红表笔接发射极E，黑表笔分别接两个基极，读数均应为无穷大。如果测量结果与上述不符，则说明被测双基极二极管已损坏。
(3)测量双基极二极管的分压比。组装测量双基极二极管分压比η的电路，用万能表“直流10V”挡测出C2上的电压UC2，再代人公式即可计算出该双基极二极管的分压比。
双基极二极管的特性曲线如图1所示。
发射极电压UE大于峰值电压UP是双基极二极管导通的必要条件。UP不是一个常数，而是取决于分压比η和UBB的大小，即UP=ηUBB+0.7V。由于UP和UBB呈线性关系，所以可以得到稳定的触发电压，又因峰点的电流很小，所以需要的触发电流也很小。
谷点电压Uv是维持单结晶体管处于导通状态的最小电压。不同的双基极二极管的谷点电压也不同，一般为2～5V。当UE=Uv时，双基极二极管进入截止状态。
由于双基极二极管是一个负阻器件，每一个电流值都会对应一个确定的电压值，但每一个电压值则可能有不同的电流值。根据这一点，可在维持电压不变的情况下，使电流产生跃变，就可以获得较大的脉冲电流。