基区

BJT是由两个背靠背的pn结组成的，这两个pn结中间的公共区域就是基区。基区宽度必须很小（小于基区中少数载流子的扩散长度），这才能形成一个有用的晶体管，否则放大性能太差（这也有利于提高频率和速度）；同时，基区的掺杂浓度也必须小于发射区的掺杂浓度，否则同样性能也很差（但是基区掺杂浓度也不能太低，否则要影响频率、速度和噪声等性能）。

一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，两侧部分是发射区和集电区，中间部分是基区。

晶体管构造中，基区很薄且杂质浓度低。