对于成像精确度、曝光度、焦深三个要素，分别可以用不同的参数来表示。

成像精确度的表示方法有很多，最直接的表达就是CDE或EPE，但两者都需要有光刻胶模型的支撑，光刻胶全物理模型计算速度太慢，简化模型误差较大，因此采用一些间接的手段来表征成像精确度，如空间像对比度、归一化对数斜率、实际空间像与目标图形间的差异等，这样既能快速计算，又能保证模型的准确。

焦深是指满足一定约束条件的离焦范围，这些约束条件一般包括CDE、光刻胶损失、侧壁角等。因此，在焦深最大化问题上，很难用一个数学表达式来描述它，可以通过一些间接的方法来表征。焦深体现的是离焦误差对成像的影响程度，也就是说如果像随离焦量的变化而改变很小，则焦深较大。对于光刻工艺，焦深越大，则对光刻图形的曝光越有利。

至于曝光度，由于它与空间像NILS有近似的线性关系，而NILS∝||∇I||。所以，可以通过最小化空间像对离焦量的偏导(∂I/∂z)及1/||∇I||，间接使得焦深和曝光度最大化。