曝光后烘烤是以一定温度烘烤曝光后的硅片，目的是降低驻波效应的影响以及使化学反应更充分。

在曝光过程中，在曝光区与非曝光区边界将会出现驻波效应，驻波效应将会在两个区域的边界附近形成强弱相间的过渡区，这将影响显影后形成的图形尺寸和分辨率。为了降低驻波效应的影响，在曝光后需要进行烘焙，称为曝光后烘烤。同时光致抗蚀剂（光刻胶）被曝光后其光致化学反应并未完全结束，此时需要通过一定温度的烘烤使其反应完全，同时通过光致反应产生的活性成分在此过程中产生扩散，从而通过化学方法增强由光强分布产生的潜像，更精确的控制图形形貌。不同的烘烤温度以及烘烤时间会造成不同速度的光酸反应，会影响到最终图形的形貌，典型PEB条件为110°-130°，热板时间为几十秒到2分钟。