（1）施主和受主杂质：

对于施主和受主杂质，其价电子束缚得不紧，则其电离能可近似采用简单的类氢原子模型来计算。Si和GaAs中施主杂质的电离能分别为EC－0.025eV 和EC－0.007eV，Si和GaAs中受主杂质的电离能都为EV+0.05eV。可见，在这些半导体中，施主和受主杂质的能级都很浅，即杂质能级很靠近导带底（施主能级）或者价带顶（受主能级）。这种杂质的束缚能级都很靠近能带极值，故也称为浅能级杂质。

在室温下，施主和受主杂质几乎都是电离了的（所谓全电离）；正因为如此，故半导体中的多数载流子浓度一般即可近似等于掺杂浓度。

（2）复合中心和陷阱中心杂质：

这些杂质的束缚能级都离开能带极值较远，故往往称这些杂质为深能级杂质。由于这些杂质原子对价电子的束缚较紧，则其电离能比较大（因为能级较深），并且其电离能的估算不能采用简单的类氢原子模型（至今尚无非常合理的模型）。