更新时间：2023-12-11 08:59
李京波，男，博士，研究员，博士生导师。2007年入选中科院“百人计划”，2009年获“国家杰出青年基金”。2001年毕业于中国科学院半导体研究所，获得理学博士学位。2001年至2004年，在美国伯克利劳伦斯国家实验室做博士后；2004年至2007年，美国再生能源国家实验室助理研究员；2007年5月，入选中国科学院“百人计划”，同时进入半导体超晶格国家重点实验室工作，从事半导体掺杂机制和纳米材料的研究。
李京波教授在半导体掺杂机制和纳米材料等前沿领域中取得的一系列创新性研究成果：
(1)发表了一百余篇论文（其中“Nature”一篇，“Nature Material”一篇，“PRL”六篇，“Nano Letters”四篇，“JACS”二篇，“APL”十八篇，“PRB/JPCC”三十六篇），对半导体光电材料与器件的设计有重要的指导作用。
(2)首次从理论上研究了形状对纳米团簇电子态的影响，并且对相关的实验进行了解释。
(3)与合作者提出了Charge Patching方法，实现了上万原子的第一性原理精度计算，该方法特别适用于大原胞的半导体合金和纳米团簇的大规模计算。
(4)对半导体掺杂机制有深入的研究，提出GaN和ZnO等实现p-型掺杂的实验模型，并用第一性原理进行计算，获得国际同行的广泛关注。
(5)首次研究了量子点中杂质的稳定性, 预言在硅掺杂的GaAs量子点中，如量子点的尺寸小于14纳米，将出现DX深能级中心。
(6)首次预言了CdS量子点比CdSe量子点更容易观察到“暗激子现象”，该预言被美国P.F.Barbara教授的实验小组所证实。论文已经被国际同行高度评价和大量引用，至今已被引用两千余次。
2008年9月2日，《科技日报》第十版以《李京波：半导体照明学科带头人》为题报道了其最新研究进展。
2009年3月17日，《自然》（亚洲材料）报道了李京波研究小组在光催化材料研究中取得的重要进展。
2009年，李京波教授获国家杰出青年基金（信息学部）。
2012年，中科院“百人计划”终期评估，获评“优秀”。
2017年，李京波教授作为第一完成人的成果，“新型半导体深能级掺杂机制研究”获得国家自然科学二等奖。
1. 中国科学院“百人计划”启动基金 (2007年，70万元)。
2. 中科院重大项目“ZnO宽禁带半导体材料的掺杂特性理论研究”（2006年至2009年，30万元）。
3. 中科院半导体所三期创新方向性重大项目“与固态照明相关物理和器件的研究”（2007年至2009年，160万元）。
4. 中国科学院“百人计划”（2008年至2012年，200万元）。
5. 国家杰出青年基金（2009年至2013年，200万元）。
6. 863计划新材料领域2008年重点项目(首席专家)—“高效氮化物LED材料及芯片关键技术”，（2009年至2012年，946万元）。
7. 中科院-英研究理事会（EPSRC）合作项目“Semiconductor nanocrystals for solar cells: Tuning shape,size and interface effects”（2011年至2014年，45万元，英方30万英镑）。
8. 973项目《以Dirac系统为代表的低维量子体系的新奇量子现象研究》子课题（2011年至2016年，150万元）。
（1） “Origin and enhancement of hole-induced ferromagnetism in first-row d0 semiconductors”, H. W. Peng, H. J. Xiang, S. H. Wei*, S. S. Li, J. B. Xia, and Jingbo Li*, Phys. Rev
（2）“Design of narrow-gap TiO2 for enhanced photoelectrochecmical activity: A passivated codoping approach”, Y. Q. Gai, Jingbo Li*, S. S. Li, J. B. Xia, and S. H. Wei*, Phys. Rev
（3）“Design of shallow acceptors in ZnO: First-principles band-structure calculations”, Jingbo Li, S. H. Wei, S.S. Li and J.-B. Xia, Phys
（4） “Mutual Passivation of Donors and Isovalent Nitrogen in GaAs”, Jingbo Li, P. Carrier, S.-H. Wei, S.-S. Li and J.-B. Xia, Phys
（5）“Stability of DX center in GaAs Quantum Dots”, Jingbo Li, S.-H. Wei, L.-W. Wang, Phys
（6）“Band-structure-correlated local density approximation study of semiconductor quantum dots and wires”, Jingbo Li and L.-W. Wang, Phys
（7） “Colloidal nanocrystal heterostructures with linear and branched topology”, D.J.Milliron, S.M.Hughes, Yi Cui, L.Manna, Jingbo Li, L.W.Wang and A
（8）“First principle study of core/shell quantum dots”, Jingbo Li and L.W. Wang, Appl. Phys
（9）“Electronic Structure of InP Quantum Rods: Differences between Wurzite, Zinc Blende, and Different Orientations”, Jingbo Li and L.W
（10）“Two-versus three-dimensional quantum confinement in indium phosphide wires and dots”, H.Yu, Jingbo Li, R. A. Loomis, L.W. Wang and W.E
（11） “Shape Effects on Electronic States of Nanocrystals”, Jingbo Li, and L.W
（12）“High Energy Excitations in CdSe Quantum Rods”, Jingbo Li, and L.W