更新时间：2024-09-12 16:27
1928年5月1日，李志坚出生于浙江宁波北仑区柴桥镇。
1934年，入读北仑柴桥小学。
1940年，入读镇海中学。
1951年，本科毕业于浙江大学物理系，同年入同济大学物理系任助教。
1953年，进入列宁格勒国立大学（今俄罗斯彼得堡大学）物理系研究生学习。
1958年初，获列宁格勒国立大学物理—数学副博士学位，回国后在清华大学任教。
1991年，当选为中国科学院学部委员（院士）。
2011年5月2日凌晨，因病逝世。
20世纪50年代初，李志坚在半导体薄膜光电导和光电机理研究中，提出电子晶粒间界理论，在此基础上研制成高信噪比硫化铅红外探测器。1959年研制成高超纯多晶硅。20世纪60年代从事硅器件研究，其中平面硅工艺及高反压硅高频三极管成果，促进了中国国内有关的研究和生产。1977年以后主要从事大规模、超大规模集成技术及器件物理的研究，领导、指导和直接参与了多种静态存储器，8位、16位高速微处理器、电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）和1兆位汉字ROM等超大规模集成电路芯片的研制工作，并取得成功。同时开发出3微米和1微米成套工艺技术。指导并发明半导体红外高速退火技术和设备。
截至2016年11月，李志坚主编出版了《半导体材料硅》《MOS大规模集成技术》《微电子技术中的MOS物理》等书，在中国国内外发表了论文200余篇。
李志坚长期在高等学校任教，是解放后中国首批博士生导师，培养了许多微电子和其他方面的优秀人才。他培养的学生有很多，如中国科学院微电子所的吴德馨院士和中国科学院半导体所的郑厚植院士，如创办展讯通信有限公司并获国家科技进步一等奖的陈大同博士和数次担任国家科技部973项目首席科学家的中科院微电子系统所王跃博士。
李志坚的教授课程凝聚态物理。
李志坚的研究领域为半导体物理。
李志坚是中国MEMS和SOC技术研究的先驱者，六十年的学术生涯，是他从一个立志报国的青年成长为一名杰出的微电子学专家的历程。（科普中国评）
李志坚是中国硅基半导体科学研究的奠基人和开创者。（中国科学院学部评）
李志坚对科研方向的准确把握，受到他的领导和同事的广泛称赞，他身上的谦逊和豁达是他一生中遇到挫折的淬炼，而他的宏大和敏锐则成就了他一生的功业。（中国科学报评）