1977年，李正考上北京大学。1981年，李政道教授倡办的中美联合培养物理类研究生计划（CUSPEA：China-U.S.PhysicsExaminationandApplication），在中国挑选优秀大学生，李正以第七名的成绩入选。1986年11月，李正博士毕业后被聘请到到美国 Brookhaven国家实验室，在半导体高能粒子探测器与位敏传感器的开发和抗辐照加固方面，李正是著名专家，在高级别学术刊物发表SCI收录论文240余篇。他开发了制作大面积、低漏电流硅探测器的先进工艺技术，成功地研制了 Pad，Strip,DriftPixel,stripixel,和 3D-Trench-Electrode等不同结构的探测器与位敏传感器。面积可达36平方厘米，在该领域遥遥领先。34岁破格评为教授；曾获得美国电气与电子工程师协会2012年技术创新（政府/企业）奖（该奖在同一领域每年只奖励一个人，李正是第6位获此殊荣的大陆华人科学家）；2005年获 BNLScienceandTechnology奖；2012年获IEEERegion1TechnologicalInnova鄄tion 奖 ；CERN RD39Collaboration发言人等。