更新时间：2024-07-25 18:52
杨德仁，1964年4月出生，江苏扬州人。半导体材料学家。中国科学院院士，浙江大学材料科学与工程学院教授、博士生导师，半导体材料研究所所长，硅材料国家重点实验室（浙江大学）学术委员会主任，浙大宁波理工学院院长。
1975年，杨德仁杨考入江苏省扬州市第一中学，先后就读于初中部和高中部。
1981年，杨德仁高中毕业后考入浙江大学，就读于金属材料热处理专业，先后获得学士学位（1985年）、硕士学位和博士学位（1991年）。
1991年，杨德仁从浙江大学硅材料国家重点实验室获半导体材料工学博士毕业后，进入浙江大学材料科学与工程博士后流动站工作，其间在日本东北大学金属材料研究所访问研究。
1993年，杨德仁从博士后流动站出站后晋升为副教授。
1995年初，杨德仁赴德国弗莱贝格工业大学工作。
1997年5月，杨德仁被浙江大学特批晋升教授。
2000年获聘教育部长江学者计划特聘教授
2002年，杨德仁获得国家杰出青年科学基金资助。
2007年，杨德仁担任科技部“国家重点基础研究发展计划专项”（973）首席科学家。同年，入选国家人事部“新世纪百千万人才工程”国家级人选。
2016年，杨德仁获得“全国五一劳动奖章”和“浙江省劳动模范”称号。
2017年，杨德仁当选为中国科学院院士。
2018年11月，在亚洲硅业（青海）有限公司举行了杨德仁院士工作站揭牌仪式。
2022年9月，杨德仁担任宁波市人才战略咨询委员会副主任委员。
杨德仁主要从事半导体硅材料研究。提出了掺氮控制极大规模集成电路用直拉硅单晶微缺陷的思路，系统解决了氮关缺陷的基础科学问题，促进了其在国际上的广泛应用；提出了微量掺锗控制晶格畸变的思路，发明了微量掺锗硅晶体生长系列技术，系统解决了相关硅晶体的基础科学问题，实现了实际应用；研究了纳米硅等的制备、结构和性能，成功制备出纳米硅管等新型纳米半导体材料，为其器件研究和应用提供了材料基础。
截至2018年9月，杨德仁在国际学术刊物发表SCI检索论文730多篇，SCI论文他引12380多次，H因子58。
截至2018年9月，杨德仁先后担任20多个国际学术会议（分会）主席，50多个国际学术会议的国际顾问、程序委员会委员。
截至2018年9月，杨德仁先后主持和负责国家973、863、国家科技重大专项、国家自然科学基金重点、科技部、教育部和浙江省的重大、重点科技项目等科技项目。
截至2018年9月，杨德仁以第一获奖人获得国家自然科学二等奖2项，浙江省科学技术一等奖4项，省部级科学技术二等、三等奖及其它科技奖6项；以第二获奖人获得省部一、二、三等奖各1项。
2006年杨德仁作为带头人的团队入选教育部创新团队；2009年入选浙江省重点科技创新团队；2014年入选科技部创新人才推进计划重点领域创新团队；2017年入选国家自然科学基金委创新研究群体。
杨德仁兼任国家重大科技专项（02）总体专家组成员，中国可再生能源学会常务理事，光伏专业委员会副主任，国务院学位委员会学科评审组成员，国家自然科学基金信息学部专家评审组成员，中国电子学会学术委员会委员，Member of SEMI China Technical Committee和Member of SEMI China PV Committee等，《Journal of Silicon》、《Physica Solidi State》等国际学术刊物编委。
杨德仁在硅材料的基础研究上取得重大成果，在生产实际中也产生重大经济效益。杨德仁作为浙江大学硅材料国家重点实验室主任和浙江大学“材料物理与化学”（原半导体材料）学科负责人，在秉承学科优良传统的基础上，坚持以硅为核心的半导体材料研究为特色，紧紧围绕国家信息术和能源的发展战略目标，取得了系列重要原始创新成果。（浙江大学评）