柳襄怀

更新时间:2021-03-27 10:01

柳襄怀,男,1937年6月出生,中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员。

人物经历

1937年6月,柳襄怀出生在泽国镇新桥头的一个普通工人家庭。

1956年,以优异的成绩从温岭中学考入上海复旦大学化学系,第二学年转入原子能系放射化学专业学习。

1961年,毕业后到中科院上海冶金研究所工作。

主要成就

长期承担国家863项目,从事离子束材料表面处理研究和应用。申请中国发明专利5项,已授权3项。它们是:热压成型模具表面的离子束处理方法、离子束增强沉积合成氮化钛薄层的方法、一种真空管栅网的处理方法、用离子束增强沉积在人工器官表面合成TiO/TiN复合膜等。其中一种真空管栅网的处理方法是发明人柳襄怀等在长期的离子束研究中的一项重要发明,国外未见报导。它是用离子束增强沉积技术在军用或航天用的通用栅网上生长一层类石墨碳膜,达到抑制栅电子发射的目的。特点是工艺方法简单,涂层结合力强,功函数高,抑制电子发射寿命长、效果好。已在军用和航天等部门的雷达控制系统中使用。本发明用自已的科研成果解决了我国在真空微波器件领域一个长期未能解决的难题,打破了国际技术封锁和垄断。

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