氮化铟镓，分子式InxGa1-xN。利用氮化铟和氮化镓所形成的三元化合物半导体。为直接带隙半导体。能隙范围能够随合金中铟组分摩尔分数x的变化从氮化铟能隙的0.7电子伏到氮化镓能隙的3.4电子伏自由调节。可用于制备高效率太阳能电池和发光二极管。是现代蓝色光、绿色光和紫外线发光二极管有源层的必要物质。