王德君

更新时间:2023-01-14 20:16

王德君,男,毕业于清华大学,博士,大连理工大学教授、博士生导、硕士生导师。

人物经历

教育经历

吉林大学半导体化学专业本科、硕士

清华大学材料学博士

工作经历

先后服务于北京大学、名古屋大学和奈良先端科学技术大学院大学,现大连理工大学教授,博士生导师(微电子、控制、凝聚态物理)。

学术成果

发表论文

Zhang, Yi-Jie,Yin, Zhi-Peng,Su, Yan,Wang, De-Jun.Passivation of carbon dimer defects in amorphous SiO2/4H-SiC(0001) interface: A first-principles study[J],CHINESE PHYSICS B,2018,27(4)

Haipeng Zhang,王德君.A GaN/InGaN/AlGaN MQW RTD for versatile MVL applications with improved logic stability[J],Journal of Semiconductors,2018,39(7):7400401-7400411

杨超,王德君.Capacitance–Voltage Measurements and Bias Temperature Stress Induced Flatband Voltage Instability in 4H-SiC MOS Capacitors[A],Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials (APCSCRM 2018),2018,2018(July):13-26

Zhang Haipeng,Wang Dejun,Geng Lu,Lin Mi,Zhang Zhonghai,Lu Weifeng,Wang Xiaoyuan,Wang Ying,Zhang Qiang,Bai Jianling.High voltage InGaN/GaN/AlGaN RTD suitable for ESD protection applications of GaN/InGaN-based devices and ICs validated by simulation results[A],2018 25TH IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON THE PHYSICAL AND FAILURE ANALYSIS OF INTEGRATED CIRCUITS (IPFA),2018

Wu, Zijian,Cai, Jian,Wang, Qian,Wang, Junqiang,Wang, Dejun.Wafer-Level Hermetic Package by Low-Temperature Cu/Sn TLP Bonding with Optimized Sn Thickness[J],JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS,2017,46(10):6111-6118

王德君,何淼,秦芝,黄庆,都时禹.碳化铀核燃料缺陷结构的研究现状[J],核技术,2017,40(7):83-94

授权专利

一种降低SiC MOS界面态密度的表面预处理方法

镀金金属衬底上的氮化铝镓铟/二硫化钼钨膜及制备方法

石墨烯改性图形化金属衬底上的氮化镓基薄膜及制备方法

一种柔性聚酰亚胺衬底上的氮化镓基薄膜及其制备方法

一种自感知便携式图像无线监控设备及使用方法

一种降低SiO2/SiC界面态密度的方法

代表著作

半导体材料与器件表征技术

科研项目

SiC MOS器件界面缺陷及其钝化研究, 国家自然科学基金项目, 2014/09/01, 完成

系统级封装技术工艺加工, 企事业单位委托科技项目, 2011/11/03-2011/12/31, 进行

新一代半导体SiC材料表面处理技术, 省、市、自治区科技项目, 2007/01/01-2009/12/31, 完成

SiC半导体MOS结构界面态研究, 主管部门科技项目, 2007/01/01-2009/03/31, 完成

2006年度教育部新世纪优秀人才支持计划, 主管部门科技项目, 2006/12/31-2009/12/31, 完成

SiC MOS器件近界面氧化物缺陷与阈值电压漂移抑制技术研究, 国家自然科学基金项目, 2018/08/16, 进行

免责声明
隐私政策
用户协议
目录 22
0{{catalogNumber[index]}}. {{item.title}}
{{item.title}}