电子束光刻系统

更新时间:2020-12-28 10:57

电子束光刻系统是一种用于信息科学与系统科学、材料科学领域的工艺试验仪器,于2015年4月17日启用。

技术指标

加速电压30Kev-100Kev,最小工作束斑直径8nm, 最大电子束流50 nA ,SEM 放大倍数30 万倍,工作台行程195x195mm,基片直径200mm。金属剥离线条宽度≤20nm,光刻胶线条宽度≤10nm,拼场/套刻精度线条宽度≤100nm。

主要功能

本次采购的光刻机采用电子束直写方式曝光,它是用直径几纳米的电子束逐点描绘光刻图形。这种光刻机具有极高的分辨率,是进行nm级及亚10nm结构加工和科研工作的有效工具。

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