更新时间：2022-08-25 17:49
磁敏电阻材料的电阻值随外旋磁场的变化而变化。与霍尔器件相比，磁敏电阻结构简单、可将多个元件集成在同一基片上，使温度系数很小(达10-5/℃)。磁敏电阻有半导体磁敏电阻和强磁性薄膜磁敏电阻两类。
磁敏电阻的显著特点：在弱磁场中阻值与磁场的关系成平方律增加；在强磁场中阻值按线性关系增加，并有很高的灵敏度。磁敏电阻器多为片形，外形尺寸较小。
磁敏电阻器的应用：一般用于磁场强度、漏磁、制磁的检测；在交流变换器、频率变换器、功率电压变换器、位移电压变换器、等电路中作控制元件；还可用于接近开关、磁卡文字识别、磁电编码器、电动机测速等方面或制作磁敏传感器用。
半导体磁敏电阻材料主要是InSb、InAs晶体或薄膜，以及InSb-NiSb共晶体和InSb-In共晶薄膜等。InSb磁敏电阻分为体型和薄膜型两种。薄膜型采用真空蒸发或真空溅射工艺制备，以真空蒸发为主。薄膜型InSb磁敏电阻的磁温度特性优于体型InSb磁敏电阻。InAs的温度特性则优于InSb。InSb-NiSb共晶体中，电阻率比InSb小得多的NiSb以针状体形式定向排列，这样就等于在共晶体中嵌入了许多金属丝，使InSb的磁阻效应得以明显改善。InSb-In共晶薄膜中的In以针状结晶体形式定向排列于<111>取向的InSb薄膜中，也起到改善InSb材料磁阻效应的作用。
强磁性薄膜磁敏电阻材料是指一类具有磁各向异性效应的磁敏材料。这类材料在磁化方向平行于电流方向时，阻值最大，在磁化方向垂直于电流方向时，阻值最小。因此，改变磁化方向与电流方向的夹角，即可改变强磁性薄膜磁敏电阻材料的阻值。强磁性薄膜磁敏电阻材料主要是Ni-Co合金薄膜和Ni-Fe合金薄膜。
磁敏电阻材料的发展与半导体材料的开发密切相关。发展趋势是：开发高准确度、高灵敏度、低噪声，高稳定性和可靠性以及多功能的磁敏器件与材料；研制非金属和金属化合物半导体、固溶体半导体、共晶体和共晶薄膜磁敏材料。