等离子体刻蚀（Plasma Etching），是将曝光显影在光刻胶上的图形转移到目标材料上，最终形成所需设计图案的过程。等离子刻蚀是半导体制造领域常用的一种目标材料去除工艺，一般通过外加电磁场激发腔室内特定气体生成含高能粒子的等离子体。等离子体中的高能粒子可以通过物理溅射或化学反应生成挥发性产物的方式去除材料表面的物质。等离子体刻蚀通常是基于高能离子物理性刻蚀和基于自由基化学反应性刻蚀的综合。相比于湿法刻蚀，等离子体刻蚀具有更好的选择性和方向性，经过鞘层的高能离子是产生方向性刻蚀的主要来源。随着集成电路器件尺寸微缩与集成密度的提高，等离子体刻蚀工艺也变得越来越重要。等离子体刻蚀与光刻工艺共同形成了半导体领域的图形化工艺模块，推动集成电路领域的工艺发展。衡量等离子体刻蚀性能的参数一般包括刻蚀速率、刻蚀选择比、刻蚀形貌以及特征尺度及设备尺度的刻蚀均匀性。