对于半导体中的载流子而言，在一定的电场作用下，载流子将通过碰撞[散射]而获得动量和能量，达到一个稳定的状态；去掉电场后，载流子也将通过碰撞而失去动量和能量，恢复到原来的状态。这种从一个稳定状态过渡到另一个稳定状态的过程即称为弛豫，存在有动量弛豫和能量弛豫两种过程。

动量弛豫过程的时间常数就称为动量弛豫时间。能量弛豫过程则往往是通过载流子与光学波声子的散射、交换能量后来实现的；而动量弛豫过程往往是通过载流子与声学波声子的散射[碰撞]、交换动量来实现的。由于动量弛豫和能量弛豫的机理（交换动量和交换能量的散射过程）不一定相同，因此同一个半导体中载流子的动量弛豫时间和能量弛豫时间也不一定相等。一般，在Si中，动量弛豫时间和能量弛豫时间比较接近，但在GaAs等化合物半导体中则相差较大（动量弛豫时间往往要比能量弛豫时间短得多）。半导体中载流子的速度过冲等现象，实际上就是动量弛豫时间远小于能量弛豫时间所产生的一种效果。