更新时间：2023-07-15 20:12
艾伦·黑格（Alan J.Heeger），1936年1月22日出生于美国爱荷华州苏城，物理、化学、材料学家，美国国家科学院院士，美国国家工程院院士，中国科学院外籍院士，诺贝尔化学奖获得者，加州大学圣塔芭芭拉分校（UCSB）物理系教授。
1936年1月22日，艾伦·黑格（Alan J.Heeger）出生于美国爱荷华州苏城。
1957年，获得内布拉斯加大学物理学和数学学士学位。
1961年，获得美国加州大学伯克利分校物理学博士学位。
1962年—1982年，任教于宾夕法尼亚大学（University of Pennsylvania）物理系。
1967年，任宾夕法尼亚大学物理系教授。
1982年，任美国加州大学圣塔芭芭拉分校（UCSB）物理系教授。
1982年—1999年，任美国加州大学圣塔芭芭拉分校（UCSB）高分子和有机固体研究所所长。
1998年，获得内布拉斯加大学理学博士学位。
2000年，获得华南理工大学名誉理学博士学位；同年，获得诺贝尔化学奖。
2001年，当选为美国国家科学院院士。
2002年，当选为美国国家工程院院士。
2007年，当选为中国科学院外籍院士。
1973年，艾伦·黑格（Alan J.Heeger）发表对TTF-TCNQ类高导有机电荷转移复合物的研究，开创了有机金属导体及有机超导体研究的先河；1990年，发表可加工性高导聚苯胺，实现了导电聚合物的实用化；1991年，发现MEH-PPV与C60之间的光诱导电荷分离，是目前高效大面积聚合物异质结太阳电池研究的物理基础及源头之一；1996年，首次实现共扼聚合物固态下的光泵浦激光。
艾伦·黑格（Alan J.Heeger）在美国加州大学圣塔芭芭拉分校（UCSB）创建了高分子和有机固体研究所。
截至2005年8月，艾伦·黑格（Alan J.Heeger）已发表论文750余篇。
截至2016年3月，艾伦·黑格获得专利100余项。
艾伦·黑格（Alan J.Heeger）在美国加州大学圣塔芭芭拉分校（UCSB）参与创建了材料系。
截至2007年12月，艾伦·黑格（Alan J.Heeger）已为中国培养了数十名博士及博士后研究人员，其中不少人已回到中国并作出贡献。艾伦·黑格培养的学生有生物化学家、中国科学院院士樊春海等。
艾伦·黑格的父母都是犹太移民，其父亲曾任一家为当地农业社区服务的杂货店的经理，后来成为老板。在艾伦·黑格九岁时，他的父亲去世了。一家人随母亲搬到了奥马哈居住。
艾伦·黑格的妻子的名字是露丝（Ruth）。两人育有两个儿子，彼得（Peter）和大卫（David），彼得曾在凯斯西储大学从事免疫学研究工作，大卫是一名神经科学家，曾任斯坦福大学教授。
“艾伦·黑格是国际著名的物理学家，是国际导电高分子研究的先驱。”（中国科学院评）
“艾伦·黑格是半导体聚合物和金属聚合物研究领域的先锋。”（中国科学院化学研究所评）
“艾伦·黑格对导电高聚物的发现和发展作出了杰出贡献。”（诺贝尔基金会评）
“艾伦·黑格在有机及导电高分子材料与器件及低维物理研究领域做出了开创性的成就，他对物理及材料科学的发展作出了开创性贡献。”（《科学新闻》评）