1．2 固态时代

1．3 集成电路

1．4 工艺和产品趋势

1．5 特征图形尺寸的减小

1．6 芯片和晶圆尺寸的增大

1．7 缺陷密度的减小

1．8 内部连线水平的提高

1．9 SIA的发展方向

1．10 芯片成本

1．11 半导体工业的发展

1．12 半导体工业的构成

1．13 生产阶段

1．14 结型晶体管

1．15 工业发展的50年

1．16 纳米时代

习题

参考文献

第2章 半导体材料和化学品的性质

2．1 原子结构

2．2 元素周期表

2．3 电传导

2．4 绝缘体和电容器

2．5 本征半导体

2．6 掺杂半导体

2．7 电子和空穴传导

2．8 载流子迁移率

2．9 半导体产品材料

2．10 半导体化合物

2．11 锗化硅

2．12 衬底工程

2．13 铁电材料

2．14 金刚石半导体

2．15 工艺化学品

2．16 物质的状态

2．17 等离子体

2．18 物质的性质

2．19 压力和真空

2．20 酸，碱和溶剂

2．21 材料安全数据表

习题

参考文献

第3章 晶体生长与硅晶圆制备

3．1 简介

3．2 半导体硅制备

3．3 晶体材料

3．4 晶体定向

3．5 晶体生长

3．6 晶体和晶圆质量

3．7 晶圆准备

3．8 切片

3．9 晶圆刻号

3．10 磨片

3．11 化学机械抛光(CMP)

3．12 背面处理

3．13 双面抛光

3．14 边缘倒角和抛光

3．15 晶圆评估

3．16 氧化

3．17 包装

3．18 工程化晶圆(衬底)

习题

参考文献

第4章 晶圆制造概述

4．1 晶圆生产的目标

4．2 晶圆术语

4．3 晶圆生产的基础工艺

4．4 电路设计

4．5 光刻母版和掩模版

4．6 晶圆制造实例

4．7 芯片术语

4．8 晶圆中测

4．9 集成电路的封装

4．10 小结

习题

参考文献

第5章 污染控制

5．1 简介

5．2 问题

5．3 污染源

5．4 洁净室的建设

5．5 洁净室的物质与供给

5．6 洁净室的维护

5．7 芯片表面清洗

习题

参考文献

第6章 生产能力和工艺良品率

6．1 良品率测量点

6．2 累积晶圆生产良品率

6．3 晶圆生产良品率的制约因素

6．4 晶圆电测良品率要素

6．5 封装和最终测试良品率

6．6 整体工艺良品率

习题

参考文献

第7章 氧化

7．1 二氧化硅层的用途

7．2 热氧化机制

7．3 热氧化方法

7．4 水平管式反应炉

7．5 立式反应炉

7．6 快速升温反应炉

7．7 快速热处理(RTP)

7．8 高压氧化

7．9 氧化工艺的自动化

7．10 氧化前晶圆的清洗

7．11 氧化工艺

7．12 氧化后评估

习题

参考文献

第8章 基本图形化工艺流程——从表面准备到曝光

8．1 简介

8．2 光刻蚀工艺概述

8．3 光刻10步法

8．4 基本的光刻胶化学

8．5 光刻胶性能的要素

8．6 正胶和负胶的比较

8．7 光刻胶的物理属性

8．8 光刻工艺

8．9 表面准备

8．10 涂光刻胶(旋转式)

8．11 软烘焙

8．12 对准和曝光

8．13 先进的光刻

习题

参考文献

第9章 基本图形化工艺流程——从显影到最终检验

9．1 显影

9．2 硬烘焙

9．3 集成图形工艺

9．4 刻蚀

9．5 湿法刻蚀

9．6 干法刻蚀

9．7 光刻胶的去除

9．8 最终目检

9．9 掩模版制作

9．10 小结

习题

参考文献

第10章 高级光刻工艺

10．1 VLSI/ULSI集成电路图形处理过程中存在的问题

10．2 其他曝光问题

10．3 掩模版贴膜

10．4 晶圆表面问题

10．5 防反射涂层

10．6 平坦化

10．7 高级光刻胶工艺

10．8 CMP小结

10．9 改进刻蚀工艺

10．10 自对准结构

10．11 刻蚀轮廓控制

……

第11章 掺杂

第12章 薄膜淀积

第13章 金属化

第14章 工艺和器件评估

第15章 晶圆加工中的商务因素

第16章 形成器件和集成电路的介绍

第17章 集成电路的介绍

第18章 封装

作者：（美国）赞特（PeterVanZant）译者：韩郑生赵树武