1993年3月—1999年9月，担任日本科学技术振兴机构“基于GaN的短波长半导体激光二极管的研究与开发”项目的负责人。

1996年7月—2001年3月，担任日本学术振兴会“未来计划”项目的负责人。

1996年7月—2004年3月，担任文部科学省（MEXT）赞助的名城大学高科技研究中心项目负责人。

1998年11月，成为日本芬兰研究所成员。

1999年1月，当选为国际电气与电子工程师学会会士（IEEE Fellow）。

2001年4月，成为名古屋大学赤崎研究中心研究员。

2004年12月，成为名古屋大学大学杰出教授。

2008年10月，当选为美国国家工程院外籍院士。

2010年，被名古屋大学返聘为教授，同年被名城大学聘为教授。

2011年4月，出任名城大学氮化物半导体核心技术研究中心主任。

2013年1月，当选为国际电气与电子工程师学会终身会士（IEEE Life Fellow）。

2014年12月，获得诺贝尔物理学奖，同年当选为日本学士院院士。

2021年4月1日，在名古屋去世，享年92岁。

赤崎勇及其团队在氮化物半导体领域取得的科学成就被广泛应用于氮化镓（GaN）基发光二极管（LED）的生产，这些LED已逐渐被用于全球的通用照明应用中。

赤崎勇在1970年代中期开始氮化物半导体的研究。经过多次尝试后，赤崎勇于1979年决定采用有机金属化学气相沉积（OMVPE/MOVPE/MOCVD）方法，这在当时被认为是一种非传统的尝试。为了克服GaN外延层与蓝宝石基板之间的巨大晶格失配问题，他在约500°C的低温下引入了一层薄的缓冲层，然后在约1000°C的高温下生长GaN。1986年，他成功生长出高质量的GaN外延层。

1989年，他发现了通过镁掺杂和后处理实现的p型GaN的导电性，并推翻了此前研究人员普遍认为p型GaN在理论上是不可能实现的观点。同年，他展示了世界上第一个p-n结蓝色LED。1990年，他的团队在室温下实现了GaN的紫外受激发射，这对于激光二极管的发展至关重要，并在同年实现了n型GaN的导电性控制。

自此之后，赤崎勇继续在氮化物半导体研究中发挥领导作用，并在材料科学领域作出了进一步的贡献，包括验证量子尺寸效应、阐明压电极化机制以及进一步提高氮化物合金的晶体质量。这些科学和技术成就已成为氮化物基器件生产的全球标准。

1993年，一家日本公司宣布首次生产基于氮化物的蓝色LED。这一成功建立在赤崎勇的研究成果基础上。通过蓝色LED、白色LED、蓝色激光二极管和高频晶体管的商业化应用，他的研究成果得到了进一步的认可。

截至2014年7月，赤崎勇已发表700多篇期刊和会议论文。

赤崎勇的学生天野浩，于1979年进入名古屋大学电气工程系学习，并在赤崎勇的实验室开始研究氮化镓基蓝光发光二极管（LED），他们通过在蓝宝石基板上使用铝氮化物层并生长高质量的氮化镓晶体，首次成功制造出高质量的蓝光LED。并于2014年与中村修二共享了诺贝尔物理学奖。

（赤崎勇）被认为是开发基于氮化镓的蓝色LED的先驱（a result of his recognition as a pioneer in developing the GaN-based blue LED）。（日本学士院评）

（赤崎勇是）蓝光LED的先驱（the pioneer of the blue LED/pioneer of blue LEDs）。（诺贝尔基金会/美国国家工程院评）