量子阱半导体激光器

更新时间:2022-09-02 14:29

量子阱(QW)半导体激光器是一种窄带隙有源区夹在宽带隙半导体材料中间或交替重叠的半导体激光器,是极有发展前途的一种激光器。QW激光器的结构与一般的双异质结激光器的结构相似,只是有源区厚度极薄。当有源区厚度值极小时,有源区与相临层的能带会产生不连续现象,即有源区的异质结上出现导带和价带的突变,使窄带隙的有源区为导带中的电子和价带中的空穴创造了一个势能阱,从而带来了优越的性能,其名也由此而来。

量子阱半导体激光器与一般的双异质结激光器相比,QW激光器具有如下优点:

①阀值电流低。由于其中“阱”的作用,使电子和空穴被限制在很薄的有源区内,造成有源区内粒子数反转浓度很高,大大降低了网值电流,其阀值电流低密度可降至双异质结激光器的1/3和1/5。

②谱线宽度很窄。与双异质结激光器相比,其谐线宽度可缩小一倍。

③温度灵敏度低,调制速度快,

④频率很小,动态单纵模特性好。横模控制能力强。

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