更新时间：2024-03-14 22:41
锑化铟单晶indium antimnnide single ryst.l InSh周 期表第皿、V族元素化合物半导体J共价键结合，有一定离子 键成分。i方晶系闪锌矿型结构，晶格常数0 . 5.17 密度 5.775gIrm3o熔点525`x'.。
定义信息
为直接带隙半导体.室温禁带宽 度0. IAeV，本征载流子浓度1 . l y 102z1m3，本征电阻率（x 10-'m，较纯晶体的电子和空穴迁移率为to和l.17澎/ V's）。采用区域熔炼、直拉法制备。用于制作远红外光电 探测器、霍耳器件和磁阻器件。