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阙端麟（1928年5月19日—2014年12月17日），出生于福建福州，中国半导体材料专家、浙江省政协原副主席、省科协原主席、原浙江大学副校长，1991当选为中国科学院院士，1984年加入九三学社，九三学社第八届中央委员会委员，第九、十届中央委员会常委。
1928年5月19日（民国十七年），阙端麟生于福建省福州市，
1947年（民国三十六年），毕业于福州英华中学；
1951年，毕业于厦门大学电机系并留校任教；
1953年，阙端麟被调到浙江大学工作。作为电机系的一名教师，他一开始并未从事半导体方向的研究，为学生开设了一门新课：《电工材料》，其中包括了半导体的内容，在教学研究过程中，他觉得半导体材料是一个新的研究方向，于是在到浙大后的次年，便开始研究半导体温差材料，不久就研制成功了中国第一台温差发动机。当时，国际上对半导体材料———硅的研究也在开始阶段。经过分析思考，阙端麟选择了硅材料作为研究方向。
1954年，晋升为讲师；
1954年，他开始从事温差电材料的研究，跨入了半导体材料这一新兴学科，试制成中国第一台温差发动机；
1959年转向硅材料的研究；
1964年，在中国首先用硅烷法制成纯硅，随后在浙江大学组成了扩大的研究课题组；
1970年，完成了高纯硅烷及多晶硅生产的成套技术研究，工艺简单，流程短，易于保证高纯度，是中国生产高纯硅烷的主要方法；
1978年，晋升为副教授；
1981年，晋升教授；
1984年到1988年，担任浙江大学副校长；
1988年到1989年，担任浙江大学校务委员会副主任；
1991年，当选为中国科学院院士；
2014年12月17日在杭州逝世，享年87岁。
阙端麟长期从事半导体材料研究工作，在中国首先开展用硅烷法制备纯硅，驻高纯硅烷的研究。负责并领导高纯极高阻硅单晶的研制，成功地研制出极高阻控测器级硅单晶。
阙端麟试制成中国第一台温差电发电机；在中国首先用硅烷法成功研制出极高阻探测器级硅单晶；首先提出用氮气作为保护气直拉硅单晶技术，生产出优质低成本硅单晶；发展了单色红外光电导衰减寿命测试理论和技术，主持研制的测试仪器技术指标大大优于同类进口仪器，使硅单晶工业产品寿命测试仪国产化。
研究成果：全分子筛吸附法提纯硅烷、高频1.09μm红外光电导衰减硅单晶少子寿命测试仪、减压充氮直拉硅单晶技术。
阙端麟发表的重要论文50余篇。获中国发明专利权8项。
主要论著
1：阙端麟，采用氮保护气氛制造直拉(切氏法)硅单晶方法，中国发明专利 ，CN85100295B(已授权)。
2：阙端麟，重掺锑硅单晶的制造方法，中国发明专利，CN86100854B(已授权)。
3：阙端麟，直拉硅单晶的气相掺氮方法，中国发明专利，CN1003607B(已授权)。
4：阙端麟，一种微氮低氧低碳直拉硅单晶的制备方法，中国发明专利，CN1003797B (已授权)。
5：阙端麟，控制直拉硅单晶中氮量的方法，中国发明专利，CN1040400A(已授权)。
6：阙端麟，红外光源硅单晶少子寿命测试仪，浙江大学学报，1982，3。
7：阙端麟，高频109μ红外光电导衰减法测试硅单晶非平衡截流子寿命，浙江大 学学报，1985，2。
8：阙端麟，高阻探测器级硅单晶，稀有金属1987，60。
9：阙端麟，高阻硅低温欧姆接触，半导体学报，1988，9(2)。
10：Que Duanlin,Nitrogen Concentration in CZ Silicon Crystals Grown under Nitrogen Atmosphere，Proceedings of 2th International Conference on Solid State and IC Te chnology,Beijing，1989.
11：阙端麟，采用氮保护气氛生长的功率晶体管用硅单晶的研究，浙江大学学报， 1990，24(3)。
12：阙端麟，减压氮保护直拉硅单晶生长，中国科学A辑，1991，2C zochralski Silicon Crystal Growth in Ntrogen Atmosphere Under Reduced Pressure ，Science in China (Series A)，1991.
13：阙端麟，含氮CZSi中NN对的退火行为，半导体学报，1991，12(4)。
14：阙端麟，微氮硅单晶中的热受主，半导体学报， 1991，12(8)。
15：阙端麟，中国大百科全书·电子学与计算机卷“硅材料”篇。
16：Oue Duanlin,Czochralski Silicon Crystal Growth in Nitrogen Atmosphere under Reduced Pressure，Science in China (Series A),1991,34(8)：1017～1024.
17：Que Duanlin,Surface Recmbination Correction Formula for Measuring Minority Carrie r Lifetime in Silicon Crystals by Monochromatic Light Photoconductive Decay ，Chinese Journal of Electronics,1994,3(4)：76～78.
18：Que Duanlin,Oxygen Precipitate of New Morphology in Nitrogen Doped Silicon ， Progress in Natural Science,1994,3(2)：176～180.
19：Que Duanlin,Nitrogen Effects on Thermal Donor and Shallow Thermal Donor in Silico n，JApplPhys，1995,77(2)：933.
20：Que Duanlin,Effect of Nitrogenoxygen Complex on Electrical Properties of Czoch ralski Silicon，ApplPhysLett.,1996,68(4)：487.
阙端麟首开“半导体材料”等10余门新课，作为浙江大学半导体材料学科的奠基人，他领导该学科成为国务院学位委员会批准的第一批硕士学位授予点之一和第一个半导体材料工学博士学位授予点，1988年被评为国家重点学科；1987年获批建成高纯硅及硅烷国家重点实验室。在阙端麟的身教言传训练下，他的学生都有较强的科研实验能力。许多学生已成长为各单位业务骨干和领导。如杨德仁教授。
他先后为本科生、研究生开设了“电工材料”、“半导体材料”、“半导体专论”、“真空技术”、“半导体物理”、“近代物理基础”等10多门课程，其中多门课程都是在没有教科书，甚至没有系统参考书的情况下，由他首先收集资料开出的。
曾担任国务院学位委员会第二、第三、第四届非金属材料学科评审组组长、国家科委发明委员会特邀评审员、国家自然科学基金委员会半导体学科评审组组长、浙江省科协主席等职。1984年加入九三学社，历任九三学社第一、第二届浙江省委会副主委，第三、第四届主委，第五届名誉主委，第八届中央委员，第九、第十届中央常委。曾任第六届全国政协委员，第七届全国人大代表，第七、第八届浙江省政协副主席。
阙端麟始终平易近人，发言时从来不拿腔拿调、拖泥带水，一贯都是突出重点，言简意赅。与阙端麟有过一定接触的人，都觉得他身上有着“正直与无私”的人格魅力。其一生的为人印证了“有容乃大，无欲则刚”这句格言。（全国人大常委、浙江省人大常委会副主任、九三学社浙江省委主委姒健敏评）
阙端麟先生是九三学社浙江省委德高望重的老领导，他为浙江省九三学社组织的建设和发展作出的贡献有目共睹，载于史册，他是全省社员的学习楷模，他的高尚品德和情操一直都在激励、鞭策人们朝着“思想上坚定，履职上坚实、组织上坚强”的高素质的中国特色社会主义参政党目标前进。（九三学社浙江省委专职副主委兼秘书长马永信评）
阙端麟是一位执着求真、勇于创新的著名学者，他怀着强国兴教之理想，投身教育事业，奉献了自己的毕生精力。他六十年如一日奋斗在教学与科研第一线，成绩卓越。为中国的半导体材料产业作出重大贡献，他对教育事业的无限忠诚，忘我工作、甘于奉献的敬业精神和胸怀坦荡、平易近人的高尚品德，将永远值得厦大人学习和敬仰。（厦门大学宣传部 校友总会秘书处评 ）
阙端麟先生对国家和人民无限忠诚，将毕生精力奉献给了教育科技事业。他富有远见卓识和开创精神，以国家的重大需求为目标，为中国的半导体材料产业做出重大贡献。他严于律己，克已奉公，治学严谨、为人谦和、作风民主，热情诚恳对待同事学生，“桃李满天下”。他的高尚品德赢得了广大师生的爱戴和敬重，阙端麟先生的逝世不仅是浙江大学的重大损失，也是中国科学界、教育界的重大损失。他崇高的科学精神和道德风范永远值得学习和敬仰。（浙江大学材料学院评）