随着IL的集成度提高，对硅材料的内在质量与几何尺寸要求愈来愈高，包括杂质含量、缺陷密度、友 0.i清洁度、儿何精度、硅片直径等。根据电路种类，对硅材华本要求如下表:

对超大规模集成电路，器件尺寸达微米，须使川外延片制作、随着集成度提高，管芯面积增大，制作_1.序增多，用更大尺寸直径的硅片能获更大经济效益。