高带宽存储器（英文：High Bandwidth Memory，缩写HBM）是超微半导体和SK Hynix发起的一种基于3D堆栈工艺的高性能DRAM，适用于高存储器带宽需求的应用场合，像是图形处理器、网上交换及转发设备（如路由器、交换器）等。首个使用HBM的设备是AMD Radeon Fury系列显示核心。2013年10月HBM成为了JEDEC通过的工业标准，第二代HBM —— HBM2，也于2016年1月成为工业标准，NVIDIA在该年发表的新款旗舰型Tesla运算加速卡—— Tesla P100、AMD的Radeon RX Vega系列、Intel的Knight Landing也采用了HBM2。