三、按其制作工艺不同，可分为半导体集成电路、膜集成电路和混合集成电路三类。

半导体集成电路是采用半导体工艺技术，在硅基片上制作包括电阻、电容、三极管、二极管等元器件并具有某种电路功能的集成电路；膜集成电路是在玻璃或陶瓷片等绝缘物体上，以“膜”的形式制作电阻、电容等无源器件。无源元件的数值范围可以作得很宽，精度可以作得很高。但技术水平尚无法用“膜”的形式制作晶体二极管、三极管等有源器件，因而使膜集成电路的应用范围受到很大的限制。在实际应用中，多半是在无源膜电路上外加半导体集成电路或分立元件的二极管、三极管等有源器件，使之构成一个整体，这便是混合集成电路。根据膜的厚薄不同，膜集成电路又分为厚膜集成电路（膜厚为1μm～10μm）和薄膜集成电路（膜厚为1μm以下）两种。在家电维修和一般性电子制作过程中遇到的主要是半导体集成电路、厚膜电路及少量的混合集成电路。

四、按导电类型不同，分为双极型集成电路和单极型集成电路两类。

双极型集成电路频率特性好，但功耗较大，而且制作工艺复杂，绝大多数模拟集成电路以及数字集成电路中的ttl、ecl、htl、lsttl、sttl型属于这一类。

单极型集成电路工作速度低，但输人阻抗高、功耗小、制作工艺简单、易于大规模集成，其主要产品为mos型集成电路。mos电路又分为nmos、pmos、cmos型。

（1）nmos集成电路是在半导体硅片上，以n型沟道mos器件构成的集成电路；参加导电的是电子。

（2）pmos型是在半导体硅片上，以p型沟道mos器件构成的集成电路；参加导电的是空穴。

（3）cmos型是由nmos晶体管和pmos晶体管互补构成的集成电路称为互补型mos集成电路，简写成cmos集成电路。

五、按用途可分为电视机用集成电路、音响用集成电路、影碟机用集成电路、录像机用集成电路、电脑（微机）用集成电路、电子琴用集成电路、通信用集成电路、照相机用集成电路、遥控集成电路、语言集成电路、报警器用集成电路及各种专用集成电路。

1.电视机用集成电路包括行、场扫描集成电路、中放集成电路、伴音集成电路、彩色解码集成电路、av/tv转换集成电路、开关电源集成电路、遥控集成电路、丽音解码集成电路、画中画处理集成电路、微处理器（cpu）集成电路、存储器集成电路等。

2.音响用集成电路包括am/fm高中频电路、立体声解码电路、音频前置放大电路、音频运算放大集成电路、音频功率放大集成电路、环绕声处理集成电路、电平驱动集成电路，电子音量控制集成电路、延时混响集成电路、电子开关集成电路等。

3.影碟机用集成电路有系统控制集成电路、视频编码集成电路、mpeg解码集成电路、音频信号处理集成电路、音响效果集成电路、rf信号处理集成电路、数字信号处理集成电路、伺服集成电路、电动机驱动集成电路等。

4.录像机用集成电路有系统控制集成电路、伺服集成电路、驱动集成电路、音频处理集成电路、视频处理集成电路。

六、按应用领域分可分为标准通用集成电路和专用集成电路。

七、按外形分可分为圆形(金属外壳晶体管封装型,一般适合用于大功率)、扁平型(稳定性好,体积小)和双列直插型。

1、bga

bga的全称是ball grid array（球栅阵列结构的pcb），它是集成电路采用有机载板的一种封装法。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚，在印刷基板的正面装配lsi芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也称为凸点陈列载体(pac)。引脚可超过200，是多引脚lsi用的一种封装。 封装本体也可做得比qfp(四侧引脚扁平封装)小。例如，引脚中心距为1.5mm的360引脚bga仅为31mm见方；而引脚中心距为0.5mm的304引脚qfp为40mm见方。而且bga不用担心qfp那样的引脚变形问题。 该封装是美国motorola公司开发的，首先在便携式电话等设备中被采用，今后在美国有可能在个人计算机中普及。最初，bga 的引脚(凸点)中心距为1.5mm，引脚数为225。现在也有一些lsi厂家正在开发500引脚的bga。 bga的问题是回流焊后的外观检查。现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。有的认为，由于焊接的中心距较大，连接可以看作是稳定的，只能通过功能检查来处理。美国motorola公司把用模压树脂密封的封装称为ompac，而把灌封方法密封的封装称为gpac(见ompac和gpac)。

优点：①封装面积减少；②功能加大，引脚数目增多；③pcb板溶焊时能自我居中，易上锡；④可靠性高；⑤电性能好，整体成本低。

2、bqfp

(quad flat package with bumper)

带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。qfp封装之一，在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫)以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和asic等电路中采用此封装。引脚中心距0.635mm，引脚数从84到196左右(见qfp)。

3、c－

(ceramic)表示陶瓷封装的记号。例如，cdip 表示的是陶瓷dip。是在实际中经常使用的记号。

4、cerdip

用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装，用于ecl ram，dsp(数字信号处理器)等电路。带有玻璃窗口的cerdip 用于紫外线擦除型eprom 以及内部带有eprom的微机电路等。引脚中心距2.54mm，引脚数从8到42。在日本，此封装表示为dip－g(g即玻璃密封的意思)。

5、cerquad

表面贴装型封装之一，即用下密封的陶瓷qfp，用于封装dsp等的逻辑lsi电路。带有窗口的cerquad用于封装eprom电路。散热性比塑料qfp好，在自然空冷条件下可容许1.5～2w的功率。但封装成本比塑料qfp高3～5倍。引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、 0.5mm、 0.4mm等多种规格。引脚数从32到368。

带引脚的陶瓷芯片载体，表面贴装型封装之一，引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形。 带有窗口的用于封装紫外线擦除型eprom 以及带有eprom的微机电路等。此封装也称为qfj、qfj－g(见qfj)。

6、cob

(chip on board)

板上芯片封装，是裸芯片贴装技术之一，半导体芯片交接贴装在印刷线路板上，芯片与 基 板的电气连接用引线缝合方法实现，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，并用 树脂覆 盖以确保可靠性。虽然cob 是最简单的裸芯片贴装技术，但它的封装密度远不如tab 和 倒片 焊技术。

7、dfp

(dual flat package)

双侧引脚扁平封装。是sop 的别称(见sop)。以前曾有此称法，现在已基本上不用。

8、dic

(dual in-line ceramic package)

陶瓷dip(含玻璃密封)的别称(见dip).

9、dil

(dual in-line)

dip的别称(见dip)。欧洲半导体厂家多用此名称。

10、dip

(dual in-line package)

双列直插式封装。插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种 。 dip 是最普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑ic，存贮器lsi，微机电路等。 引脚中心距2.54mm，引脚数从6 到64。封装宽度通常为15.2mm。有的把宽度为7.52mm 和10.16mm 的封装分别称为skinny dip 和slim dip(窄体型dip)。但多数情况下并不加 区分， 只简单地统称为dip。另外，用低熔点玻璃密封的陶瓷dip 也称为cerdip(见cerdip)。

11、dso

(dual small out-lint)

双侧引脚小外形封装。sop 的别称(见sop)。部分半导体厂家采用此名称。

12、dicp (dual tape carrier package)

双侧引脚带载封装。tcp(带载封装)之一。引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。由于利用的是tab(自动带载焊接)技术，封装外形非常薄。常用于液晶显示驱动lsi，但多数为 定制品。另外，0.5mm厚的存储器lsi簿形封装正处于开发阶段。在日本，按照eiaj(日本电子机 械工 业)会标准规定，将dicp命名为dtp。

13、dip

(dual tape carrier package)

日本电子机械工业会标准对dtcp 的命名(见dtcp)。

14、fp

(flat package)

扁平封装。表面贴装型封装之一。qfp 或sop(见qfp 和sop)的别称。部分半导体厂家采 用此名称。

15、flip-chip

倒焊芯片。裸芯片封装技术之一，在lsi 芯片的电极区制作好金属凸点，然后把金属凸 点 与印刷基板上的电极区进行压焊连接。封装的占有面积基本上与芯片尺寸相同。是所有 封装技 术中体积最小、最薄的一种。 但如果基板的热膨胀系数与lsi 芯片不同，就会在接合处产生反应，从而影响连接的可 靠 性。因此必须用树脂来加固lsi 芯片，并使用热膨胀系数基本相同的基板材料。

16、fqfp

(fine pitch quad flat package)

小引脚中心距qfp。通常指引脚中心距小于0.65mm 的qfp(见qfp)。部分导导体厂家采 用此名称。

17、cpac

(globe top pad array carrier)

美国motorola 公司对bga 的别称(见bga)。

18、cqfp

(quad fiat package with guard ring)

带保护环的四侧引脚扁平封装。塑料qfp 之一，引脚用树脂保护环掩蔽，以防止弯曲变 形。 在把lsi 组装在印刷基板上之前，从保护环处切断引脚并使其成为海鸥翼状(l 形状)。 这种封装 在美国motorola 公司已批量生产。引脚中心距0.5mm，引脚数最多为208 左右。

19、h-

(with heat sink)

表示带散热器的标记。例如，hsop 表示带散热器的sop。

20、pin grid array

(surface mount type)

表面贴装型pga。通常pga 为插装型封装，引脚长约3.4mm。表面贴装型pga 在封装的 底面有陈列状的引脚，其长度从1.5mm 到2.0mm。贴装采用与印刷基板碰焊的方法，因而 也称 为碰焊pga。因为引脚中心距只有1.27mm，比插装型pga 小一半，所以封装本体可制作得 不 怎么大，而引脚数比插装型多(250～528)，是大规模逻辑lsi 用的封装。封装的基材有 多层陶 瓷基板和玻璃环氧树脂印刷基数。以多层陶瓷基材制作封装已经实用化。

21、jlcc

(j-leaded chip carrier)

j 形引脚芯片载体。指带窗口clcc 和带窗口的陶瓷qfj 的别称(见clcc 和qfj)。部分半 导体厂家采用的名称。

22、lcc

(leadless chip carrier)

无引脚芯片载体。指陶瓷基板的四个侧面只有电极接触而无引脚的表面贴装型封装。是 高 速和高频ic 用封装，也称为陶瓷qfn 或qfn－c(见qfn)。

23、lga

(land grid array)

触点陈列封装。即在底面制作有阵列状态坦电极触点的封装。装配时插入插座即可。现 已 实用的有227 触点(1.27mm 中心距)和447 触点(2.54mm 中心距)的陶瓷lga，应用于高速 逻辑 lsi 电路。 lga 与qfp 相比，能够以比较小的封装容纳更多的输入输出引脚。另外，由于引线的阻 抗 小，对于高速lsi 是很适用的。但由于插座制作复杂，成本高，现在基本上不怎么使用 。预计 今后对其需求会有所增加。

24、loc

(lead on chip)

芯片上引线封装。lsi 封装技术之一，引线框架的前端处于芯片上方的一种结构，芯片 的 中心附近制作有凸焊点，用引线缝合进行电气连接。与原来把引线框架布置在芯片侧面 附近的 结构相比，在相同大小的封装中容纳的芯片达1mm 左右宽度。

25、lqfp

(low profile quad flat package)

薄型qfp。指封装本体厚度为1.4mm 的qfp，是日本电子机械工业会根据制定的新qfp 外形规格所用的名称。

26、l－quad

陶瓷qfp 之一。封装基板用氮化铝，基导热率比氧化铝高7～8 倍，具有较好的散热性。 封装的框架用氧化铝，芯片用灌封法密封，从而抑制了成本。是为逻辑lsi 开发的一种 封装， 在自然空冷条件下可容许w3的功率。现已开发出了208 引脚(0.5mm 中心距)和160 引脚 (0.65mm 中心距)的lsi 逻辑用封装，并于1993 年10 月开始投入批量生产。

27、mcm

(multi-chip module)

多芯片组件。将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。根据基板材料可 分 为mcm－l，mcm－c 和mcm－d 三大类。 mcm－l 是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎么高，成本较低 。 mcm－c 是用厚膜技术形成多层布线，以陶瓷(氧化铝或玻璃陶瓷)作为基板的组件，与使 用多层陶瓷基板的厚膜混合ic 类似。两者无明显差别。布线密度高于mcm－l。

mcm－d 是用薄膜技术形成多层布线，以陶瓷(氧化铝或氮化铝)或si、al 作为基板的组 件。 布线密谋在三种组件中是最高的，但成本也高。

28、mfp

(mini flat package)

小形扁平封装。塑料sop 或ssop 的别称(见sop 和ssop)。部分半导体厂家采用的名称。

29、mqfp

(metric quad flat package)

按照jedec(美国联合电子设备委员会)标准对qfp 进行的一种分类。指引脚中心距为 0.65mm、本体厚度为3.8mm～2.0mm 的标准qfp(见qfp)。

30、mquad

(metal quad)

美国olin 公司开发的一种qfp 封装。基板与封盖均采用铝材，用粘合剂密封。在自然空 冷 条件下可容许2.5w～2.8w 的功率。日本新光电气工业公司于1993 年获得特许开始生产 。

31、msp

(mini square package)

qfi 的别称(见qfi)，在开发初期多称为msp。qfi 是日本电子机械工业会规定的名称。

32、opmac(over molded pad array carrier)

模压树脂密封凸点陈列载体。美国motorola 公司对模压树脂密封bga 采用的名称(见 bga)。

33、p－

(plastic)

表示塑料封装的记号。如pdip 表示塑料dip。

34、pac

(pad array carrier)

凸点陈列载体，bga 的别称(见bga)。

35、pclp

(printed circuit board leadless package)

印刷电路板无引线封装。日本富士通公司对塑料qfn(塑料lcc)采用的名称(见qfn)。引脚中心距有0.55mm和0.4mm两种规格。正处于开发阶段。

36、pfpf

(plastic flat package)

塑料扁平封装。塑料qfp 的别称(见qfp)。部分lsi 厂家采用的名称。

37、pga

(pin grid array)

陈列引脚封装。插装型封装之一，其底面的垂直引脚呈陈列状排列。封装基材基本上都采用多层陶瓷基板。在未专门表示出材料名称的情况下，多数为陶瓷pga，用于高速大规模 逻辑 lsi 电路。成本较高。引脚中心距通常为2.54mm，引脚数从64 到447 左右。了为降低成本，封装基材可用玻璃环氧树脂印刷基板代替。也有64～256引脚的塑料pga。 另外，还有一种引脚中心距为1.27mm 的短引脚表面贴装型pga(碰焊pga)。(见表面贴装型pga)。

38、piggy back

驮载封装。指配有插座的陶瓷封装，形关与dip、qfp、qfn相似。在开发带有微机的设备时用于评价程序确认操作。例如，将eprom插入插座进行调试。这种封装基本上都是定制品，市场上不怎么流通。

39、plcc

(plastic leaded chip carrier)

带引线的塑料芯片载体。表面贴装型封装之一。引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形 ， 是塑料制品。美国德克萨斯仪器公司首先在64k 位dram 和256kdram 中采用，现在已经 普 及用于逻辑lsi、dld(或程逻辑器件)等电路。引脚中心距1.27mm，引脚数从18 到84。 j 形引脚不易变形，比qfp 容易操作，但焊接后的外观检查较为困难。 plcc 与lcc(也称qfn)相似。以前，两者的区别仅在于前者用塑料，后者用陶瓷。但现 在已经出现用陶瓷制作的j 形引脚封装和用塑料制作的无引脚封装(标记为塑料lcc、pc lp、p －lcc 等)，已经无法分辨。为此，日本电子机械工业会于1988 年决定，把从四侧引出 j 形引 脚的封装称为qfj，把在四侧带有电极凸点的封装称为qfn(见qfj 和qfn)。

40、p－lcc

(plastic teadless chip carrier)(plastic leaded chip currier)

有时候是塑料qfj 的别称，有时候是qfn(塑料lcc)的别称(见qfj 和qfn)。部分

lsi 厂家用plcc 表示带引线封装，用p－lcc 表示无引线封装，以示区别。

41、qfh

(quad flat high package)

四侧引脚厚体扁平封装。塑料qfp 的一种，为了防止封装本体断裂，qfp 本体制作得 较厚(见qfp)。部分半导体厂家采用的名称。

42、qfi

(quad flat i-leaded packgac)

四侧i 形引脚扁平封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装四个侧面引出，向下呈i 字 。 也称为msp(见msp)。贴装与印刷基板进行碰焊连接。由于引脚无突出部分，贴装占有面 积小 于qfp。 日立制作所为视频模拟ic 开发并使用了这种封装。此外，日本的motorola 公司的pll ic 也采用了此种封装。引脚中心距1.27mm，引脚数从18 于68。

43、qfj

(quad flat j-leaded package)

四侧j形引脚扁平封装。表面贴装封装之一。引脚从封装四个侧面引出，向下呈j字形。是日本电子机械工业会规定的名称。引脚中心距1.27mm。

材料有塑料和陶瓷两种。塑料qfj 多数情况称为plcc(见plcc)，用于微机、门陈列、 dram、assp、otp 等电路。引脚数从18至84。

陶瓷qfj 也称为clcc、jlcc(见clcc)。带窗口的封装用于紫外线擦除型eprom 以及 带有eprom 的微机芯片电路。引脚数从32 至84。

44、qfn

(quad flat non-leaded package)

四侧无引脚扁平封装。表面贴装型封装之一。现在多称为lcc。qfn是日本电子机械工业会规定的名称。封装四侧配置有电极触点，由于无引脚，贴装占有面积比qfp小，高度比qfp低。但是，当印刷基板与封装之间产生应力时，在电极接触处就不能得到缓解。因此电极触点难于作到qfp的引脚那样多，一般从14到100左右。 材料有陶瓷和塑料两种。当有lcc标记时基本上都是陶瓷qfn。电极触点中心距1.27mm。

塑料qfn 是以玻璃环氧树脂印刷基板基材的一种低成本封装。电极触点中心距除1.27mm 外，还有0.65mm 和0.5mm 两种。这种封装也称为塑料lcc、pclc、p－lcc 等。

45、qfp

(quad flat package)

四侧引脚扁平封装。表面贴装型封装之一，引脚从四个侧面引出呈海鸥翼(l)型。基材有 陶 瓷、金属和塑料三种。从数量上看，塑料封装占绝大部分。当没有特别表示出材料时， 多数情 况为塑料qfp。塑料qfp 是最普及的多引脚lsi 封装。不仅用于微处理器，门陈列等数字 逻辑lsi 电路，而且也用于vtr 信号处理、音响信号处理等模拟lsi 电路。引脚中心距 有1.0mm、0.8mm、 0.65mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm 等多种规格。0.65mm 中心距规格中最多引脚数为304。

日本将引脚中心距小于0.65mm 的qfp 称为qfp(fp)。但现在日本电子机械工业会对qfp 的外形规格进行了重新评价。在引脚中心距上不加区别，而是根据封装本体厚度分为 qfp(2.0mm～3.6mm 厚)、lqfp(1.4mm 厚)和tqfp(1.0mm 厚)三种。

另外，有的lsi 厂家把引脚中心距为0.5mm 的qfp 专门称为收缩型qfp 或sqfp、vqfp。 但有的厂家把引脚中心距为0.65mm 及0.4mm 的qfp 也称为sqfp，至使名称稍有一些混乱 。 qfp 的缺点是，当引脚中心距小于0.65mm 时，引脚容易弯曲。为了防止引脚变形，现已 出现了几种改进的qfp 品种。如封装的四个角带有树指缓冲垫的bqfp(见bqfp)；带树脂 保护 环覆盖引脚前端的gqfp(见gqfp)；在封装本体里设置测试凸点、放在防止引脚变形的专 用夹 具里就可进行测试的tpqfp(见tpqfp)。 在逻辑lsi 方面，不少开发品和高可靠品都封装在多层陶瓷qfp 里。引脚中心距最小为 0.4mm、引脚数最多为348 的产品也已问世。此外，也有用玻璃密封的陶瓷qfp(见gerqa d)。

46、qfp

(fp)(qfp fine pitch)

小中心距qfp。日本电子机械工业会标准所规定的名称。指引脚中心距为0.55mm、0.4mm 、 0.3mm 等小于0.65mm 的qfp(见qfp)。

47、qic

(quad in-line ceramic package)

陶瓷qfp 的别称。部分半导体厂家采用的名称(见qfp、cerquad)。

48、qip

(quad in-line plastic package)

塑料qfp 的别称。部分半导体厂家采用的名称(见qfp)。

49、qtcp

(quad tape carrier package)

四侧引脚带载封装。tcp 封装之一，在绝缘带上形成引脚并从封装四个侧面引出。是利 用 tab 技术的薄型封装(见tab、tcp)。

50、qtp

(quad tape carrier package)

四侧引脚带载封装。日本电子机械工业会于1993 年4 月对qtcp 所制定的外形规格所用 的 名称(见tcp)。

51、quil

(quad in-line)

quip 的别称(见quip)。

52、quip

(quad in-line package)

四列引脚直插式封装。引脚从封装两个侧面引出，每隔一根交错向下弯曲成四列。引脚 中 心距1.27mm，当插入印刷基板时，插入中心距就变成2.5mm。因此可用于标准印刷线路板 。是 比标准dip 更小的一种封装。日本电气公司在台式计算机和家电产品等的微机芯片中采 用了些 种封装。材料有陶瓷和塑料两种。引脚数64。

53、sdip

(shrink dual in-line package)

收缩型dip。插装型封装之一，形状与dip 相同，但引脚中心距(1.778mm)小于dip(2.54 mm)，

因而得此称呼。引脚数从14 到90。也有称为sh－dip 的。材料有陶瓷和塑料两种。

54、sh－dip

(shrink dual in-line package)

同sdip。部分半导体厂家采用的名称。

55、sil

(single in-line)

sip 的别称(见sip)。欧洲半导体厂家多采用sil 这个名称。

56、simm

(single in-line memory module)

单列存贮器组件。只在印刷基板的一个侧面附近配有电极的存贮器组件。通常指插入插 座 的组件。标准simm 有中心距为2.54mm 的30 电极和中心距为1.27mm 的72 电极两种规格 。 在印刷基板的单面或双面装有用soj 封装的1 兆位及4 兆位dram 的simm 已经在个人 计算机、工作站等设备中获得广泛应用。至少有30～40%的dram 都装配在simm 里。

57、sip

(single in-line package)

单列直插式封装。引脚从封装一个侧面引出，排列成一条直线。当装配到印刷基板上时 封 装呈侧立状。引脚中心距通常为2.54mm，引脚数从2 至23，多数为定制产品。封装的形 状各 异。也有的把形状与zip 相同的封装称为sip。

58、sk－dip

(skinny dual in-line package)

dip 的一种。指宽度为7.62mm、引脚中心距为2.54mm 的窄体dip。通常统称为dip(见 dip)。

59、sl－dip

(slim dual in-line package)

dip 的一种。指宽度为10.16mm，引脚中心距为2.54mm 的窄体dip。通常统称为dip。

60、smd

(surface mount devices)

表面贴装器件。偶而，有的半导体厂家把sop 归为smd(见sop)。

sop 的别称。世界上很多半导体厂家都采用此别称。(见sop)。

61、soi

(small out-line i-leaded package)

i 形引脚小外型封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装双侧引出向下呈i 字形，中心 距 1.27mm。贴装占有面积小于sop。日立公司在模拟ic(电机驱动用ic)中采用了此封装。引 脚数 26。

62、soic

(small out-line integrated circuit)

sop 的别称(见sop)。国外有许多半导体厂家采用此名称。

63、soj

(small out-line j-leaded package)

j 形引脚小外型封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装两侧引出向下呈j 字形，故此 得名。 通常为塑料制品，多数用于dram 和sram 等存储器lsi 电路，但绝大部分是dram。用so j 封装的dram 器件很多都装配在simm 上。引脚中心距1.27mm，引脚数从20 至40(见simm )。

64、sql

(small out-line l-leaded package)

按照jedec(美国联合电子设备工程委员会)标准对sop 所采用的名称(见sop)。

65、sonf

(small out-line non-fin)

无散热片的sop。与通常的sop 相同。为了在功率ic 封装中表示无散热片的区别，有意 增添了nf(non-fin)标记。部分半导体厂家采用的名称(见sop)。

66、sop

(small out-line package)

小外形封装。表面贴装型封装之一，引脚从封装两侧引出呈海鸥翼状(l 字形)。材料有 塑料 和陶瓷两种。另外也叫sol 和dfp。

sop 除了用于存储器lsi 外，也广泛用于规模不太大的assp 等电路。在输入输出端子不 超过10～40 的领域，sop 是普及最广的表面贴装封装。引脚中心距1.27mm，引脚数从8 ～44。

另外，引脚中心距小于1.27mm 的sop 也称为ssop；装配高度不到1.27mm 的sop 也称为 tsop(见ssop、tsop)。还有一种带有散热片的sop。

67、sowsmall outline package(wide-jype)

宽体sop。部分半导体厂家采用的名称。

1.世界集成电路的发展历史

1947年：贝尔实验室肖特莱等人发明了晶体管，这是微电子技术发展中第一个里程碑；

1950年：结型晶体管诞生；

1950年： r ohl和肖特莱发明了离子注入工艺；

1951年：场效应晶体管发明；

1956年：c s fuller发明了扩散工艺；

1958年：仙童公司robert noyce与德仪公司基尔比间隔数月分别发明了集成电路，开创了世界微电子学的历史；

1960年：h h loor和e castellani发明了光刻工艺；

1962年：美国rca公司研制出mos场效应晶体管；

1963年：f.m.wanlass和c.t.sah首次提出cmos技术，今天，95%以上的集成电路芯片都是基于cmos工艺；

1964年：intel摩尔提出摩尔定律，预测晶体管集成度将会每18个月增加1倍；

1966年：美国rca公司研制出cmos集成电路，并研制出第一块门阵列（50门）；

1967年：应用材料公司（applied materials）成立，现已成为全球最大的半导体设备制造公司；

1971年：intel推出1kb动态随机存储器（dram），标志着大规模集成电路出现；

1971年：全球第一个微处理器4004由intel公司推出，采用的是mos工艺，这是一个里程碑式的发明；

1974年：rca公司推出第一个cmos微处理器1802；

1976年：16kb dram和4kb sram问世；

1978年：64kb动态随机存储器诞生，不足0.5平方厘米的硅片上集成了14万个晶体管，标志着超大规模集成电路（vlsi）时代的来临；

1979年：intel推出5mhz 8088微处理器，之后，ibm基于8088推出全球第一台pc；

1981年：256kb dram和64kb cmos sram问世；

1984年：日本宣布推出1mb dram和256kb sram；

1985年：80386微处理器问世，20mhz；

1988年：16m dram问世，1平方厘米大小的硅片上集成有3500万个晶体管，标志着进入超大规模集成电路（vlsi）阶段；

1989年：1mb dram进入市场；

1989年：486微处理器推出，25mhz，1μm工艺，后来50mhz芯片采用 0.8μm工艺；

1992年：64m位随机存储器问世；

1993年：66mhz奔腾处理器推出,采用0.6μm工艺；

1995年:pentium pro, 133mhz，采用0.6-0.35μm工艺；

1997年：300mhz奔腾Ⅱ问世,采用0.25μm工艺；

1999年：奔腾Ⅲ问世，450mhz，采用0.25μm工艺，后采用0.18μm工艺；

2000年: 1gb ram投放市场；

2000年：奔腾4问世，1.5ghz，采用0.18μm工艺；

2001年：intel宣布2001年下半年采用0.13μm工艺。

2003年：奔腾4 e系列推出，采用90nm工艺。

2005年：intel 酷睿2系列上市，采用65nm工艺。

2007年：基于全新45纳米high-k工艺的intel酷睿2 e7/e8/e9上市。

2009年：intel酷睿i系列全新推出，创纪录采用了领先的32纳米工艺，并且下一代22纳米工艺正在研发。

2.我国集成电路的发展历史

我国集成电路产业诞生于六十年代，共经历了三个发展阶段：

1965年-1978年：以计算机和军工配套为目标，以开发逻辑电路为主要产 品，初步建立集成电路工业基础及相关设备、仪器、材料的配套条件；

1978年-1990年：主要引进美国二手设备，改善集成电路装备水平，在“治散治乱”的同时，以消费类整机作为配套重点，较好地解决了彩电集成电路的国产化；

1990年-2000年：以908工程、909工程为重点，以cad为突破口，抓好科技攻关和北方科研开发基地的建设，为信息产业服务，集成电路行业取得了新的发展。

一、不在路检测

这种方法是在ic未焊入电路时进行的，一般情况下可用万用表测量各引脚对应于接地引脚之间的正、反向电阻值，并和完好的ic进行 较。

二、在路检测

这是一种通过万用表检测ic各引脚在路（ic在电路中）直流电阻、对地交直流电压以及总工作电流的检测方法。这种方法克服了代换试验法需要有可代换ic的局限性和拆卸ic的麻烦，是检测ic最常用和实用的方法。

1．直流工作电压测量

这是一种在通电情况下，用万用表直流电压挡对直流供电电压、外围元件的工作电压进行测量；检测ic各引脚对地直流电压值，并与正常值相较，进而压缩故障范围，出损坏的元件。测量时要注意以下八点：

(1)万用表要有足够大的内阻，少要大于被测电路电阻的10倍以上，以免造成较大的测量误差。

(2)通常把各电位器旋到中间位置，如果是电视机，信号源要采用标准彩条信号发生器。

(3)表笔或探头要采取防滑措施。因任何瞬间短路都容易损坏ic。可采取如下方法防止表笔滑动：取一段自行车用气门芯套在表笔尖上，并长出表笔尖约0.5mm左右，这既能使表笔尖良好地与被测试点接触，又能有效防止打滑，即使碰上邻近点也不会短路。

(4)当测得某一引脚电压与正常值不符时，应根据该引脚电压对ic正常工作有无重要影响以及其他引脚电压的相应变化进行分析，能判断ic的好坏。

(5)ic引脚电压会受外围元器件影响。当外围元器件发生漏电、短路、开路或变值时，或外围电路连接的是一个阻值可变的电位器，则电位器滑动臂所处的位置不同，都会使引脚电压发生变化。

(6)若ic各引脚电压正常，则一般认为ic正常；若ic部分引脚电压异常，则应从偏离正常值最大处入手，检查外围元件有无故障，若无故障，则ic很可能损坏。

(7)对于动态接收装置，如电视机，在有无信号时，ic各引脚电压是不同的。如发现引脚电压不该变化的反而变化大，该随信号大小和可调元件不同位置而变化的反而不变化，就可确定ic损坏。

(8)对于多种工作方式的装置，如录像机，在不同工作方式下，ic各引脚电压也是不同的。

2．交流工作电压测量法

为了掌握ic交流信号的变化情况，可以用带有db插孔的万用表对ic的交流工作电压进行近似测量。检测时万用表置于交流电压挡，正表笔插入db插孔；对于无db插孔的万用表，需要在正表笔串接一只0.1～0.5μf隔直电容。该法适用于工作频率较低的ic，如电视机的视频放大级、场扫描电路等。由于这些电路的固有频率不同，波形不同，所以所测的数据是近似值，只能供参考。

3．总电流测量法

该法是通过检测ic电源进线的总电流，来判ic好坏的一种方法。由于ic内部绝大多数为直接耦合，ic损坏时（如某一个pn结击穿或开路）会引起后级饱和与截止，使总电流发生变化。所以通过测量总电流的方法可以判ic的好坏。也可用测量电源通路中电阻的电压降，用欧姆定律计算出总电流值。

近几年，中国集成电路产业取得了飞速发展。中国集成电路产业已经成为全球半导体产业关注的焦点，即使在全球半导体产业陷入有史以来程度最严重的低迷阶段时，中国集成电路市场仍保持了两位数的年增长率，凭借巨大的市场需求、较低的生产成本、丰富的人力资源，以及经济的稳定发展和宽松的政策环境等众多优势条件，以京津唐地区、长江三角洲地区和珠江三角洲地区为代表的产业基地迅速发展壮大，制造业、设计业和封装业等集成电路产业各环节逐步完善。

2006年中国集成电路市场销售额为4862.5亿元，同比增长27.8。其中ic设计业年销售额为186.2亿元，比2005年增长49.8。

2007年中国集成电路产业规模达到1251.3亿元，同比增长24.3，集成电路市场销售额为5623.7亿元，同比增长18.6。而计算机类、消费类、网络通信类三大领域占中国集成电路市场的88.1。

中国集成电路产业已经形成了ic设计、制造、封装测试三业及支撑配套业共同发展的较为完善的产业链格局，随着ic设计和芯片制造行业的迅猛发展，国内集成电路价值链格局继续改变，其总体趋势是设计业和芯片制造业所占比例迅速上升。