平面晶体管的内部结构情况，如图《平面晶体管结构示意图》所示。它的中心机构也是包括两个p-n结和三个区域。两个p-n结是发射结和集电结；三个区域是发射区、基区和集电区。不过对平面晶体管来说、这两个p-n结都是由杂质扩散到晶片内部而形成的。

先用p型杂质元素——如硼元素作为扩散杂质源，在高温下该杂质原子扩散到晶片内部的n型外延层中，形成p型扩散基区。这个p型扩散基区与原先生长在晶片表面的扎型外延层形成一个p-n结，这就是晶体管的集电结。再用n型杂质元素——如磷元素作为扩散杂质源，在p型基区上方形成一个扎型扩散发射区；它与p型基区又形成一个p-n结，这个p-n结就是发射结。

之后在p型基区和n型发射区上表面分别制作金属化电极——基极和发射极，而集电极则从晶片下表面，即晶片背面引出。这样就制得了n-p-n型平面晶体管的管芯。