更新时间：2024-10-24 15:25
海力士为原来的现代内存,2001年更名为海力士。
2012年更名SK hynix。
海力士半导体在1983年以现代电子产业有限公司成立，在1996年正式在韩国上市，1999年收购LG半导体，2001年将公司名称改为(株)海力士半导体,从现代集团分离出来。2004年10月将系统IC业务出售给花旗集团，成为专业的存储器制造商。2012年2月，韩国第三大财阀SK集团宣布收购海力士21.05%的股份从而入主这家内存大厂。
2019年9月5日，据韩国《中央日报》报道，在日本政府限制向韩国出口氟化氢、光刻胶、含氟聚酰亚胺等尖端半导体材料后，SK海力士设在中国无锡的半导体工厂已经完全使用中国生产的氟化氢取代了日本产品。
2022年8月，媒体报道，海力士计划在美国新建先进芯片封装厂，预计2023年第一季度破土动工。
2022年10月27日，海力士同意加入开放创新平台 3D Fabric 联盟，推动 3D 半导体发展。
2023年7月4日，继 Nvidia 之后，全球多个科技巨头都在竞购 SK hynix 的第五代高带宽内存 HBM3E；HBM3E 是当前 HBM3 的下一代产品，而 SK 海力士是目前世界上唯一一家能够大规模生产 HBM3 芯片的公司，因此其他厂商想要购买 HBM3E 就只能找它。
2023年12月7日，海力士公司表示，已成立一个名为AI Infra的新部门，负责人工智能（AI）半导体相关业务，这是该公司将更多地专注于高需求高端芯片的战略的一部分。
2024年4月3日，SK海力士表示，将投资约38.7亿美元在美国印第安纳州建设芯片工厂。新工厂将包括一条先进的芯片生产线，用于批量生产下一代HBM芯片。
2024年7月27日，SK海力士将投资约9.4万亿韩元建设韩国龙仁半导体集群首座工厂。
2024年7月30日，SK海力士宣布，公司推出了全球最高性能的新一代显存产品GDDR7。
2024年8月29日，SK海力士宣布，全球首次开发出采用第六代10纳米级（1c）工艺的16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5 DRAM。
2024年9月26日，SK海力士宣布已开始量产12层HBM3E，实现了现有HBM产品中最大的36GB（千兆字节）容量，公司将在年内向客户提供此次产品。
在韩国有4条8英寸晶圆生产线和一条12英寸生产线，在美国俄勒冈州有一条8英寸生产线。2004年及2005年全球DRAM市场占有率处于第二位，中国市场占有率处于第一位。在世界各地有销售法人和办事处，共有员工15000人.海力士（Hynix）半导体作为无形的基础设施，通过半导体，竭尽全力为客户创造舒适的生活环境。海力士半导体致力生产以DRAM和NAND Flash为主的半导体产品。
海力士半导体以超卓的技术和持续不断的研究投资为基础，每年都在开辟已步入纳米级超微细技术领域的半导体技术的崭新领域。另外，海力士半导体不仅标榜行业最高水平的投资效率，2006年更创下半导体行业世界第七位，步入纯利润2万亿韩元的集团等，正在展现意义非凡的增长势力。海力士半导体不仅作为给国家经济注入新鲜血液的发展动力，完成其使命，同时不断追求与社会共同发展的相生经营。海力士半导体为发展成为令顾客和股东满意的先导企业，将尽心尽责，全力以赴。
2013年11月15日海力士在无锡增资25亿美元，此次签约的五期项目将从29纳米提升至25纳米级,并争取提升 至10纳米级,预计到2016年完成该项技术升级。
2013年09月4日下午3:30左右，无锡Hynix厂房起火，原因未知。
2012年02月韩国第三大财阀SK集团入主Hynix，更名SKhynix。
04月 世界最先开发低耗电-高速(Low Power-High Speed) Mobile 1Gb DDR2 DRAM
03月 世界最先发表8GB 2-Rank DDR3 R-DIMM 产品认证
02月世界最先开发44nm DDR3 DRAM
01月 世界最先获得关于以伺服器4GB ECC UDIMM用模块为基础的超高速DDR3的英特尔产品认证。
2008年 12月 世界最先开发2Gb Mobile DRAM
11 月引进业界最高速7Gbps、1Gb GDDR5 Graphics DRAM
08月 清州第三工厂的300mm组装厂竣工
世界最先推出使用MetaRAMtm 技术的16 GB 2-Ran kR-DIMM
为引进崭新而创新性NAND闪存存储器产品及技术的Numonyx及海力士的努力扩大
05月 与ProMOS公司签署关于加强长期战略性合作的修改案
04月 为撤回对海力士DRAM的相计关税的EU理事会的措施表示欢迎开发出世界最高速Mobile LPDDR2
02月 引进2-Rank 8GB DDR2 RDIMM
01月 签署关于在对下一代不挥发性存储器技术的共同R&D程序上进行合作的合同
2008年发表00MHz、1GB/2GB UDIMM 产品认证
2007年12月成功发行国际可兑换券(global convertible notes)
11月WTO做出判决海力士进口芯片相关报复性关税一案，日本败诉。与SiliconFile公司签署CIS事业合作协议，获得对 1Gb DDR2 DRAM的英特尔产品认证，业界最先开发1Gb GDDR5 DRAM
10月与Ovonyx公司签署关于PRAM的技术及许可证合同与环境运动联合(韩国)签署关于在环境管理上进行合作的合同
09月以24层叠芯片(stacked chips)，世界最先开发NAND闪存MCP
08月开发出业界最高速、最小型1Gb Mobile DRAM
07月发表企业中长期总体规划
05月业界最先获得关于DDR3 DRAM的英特尔产品认证
04月DOC H3开始大量生产在韩国清州300mm设施开工实现最高水平的营业利润率
03月开发出世界最高速ECC Mobile DRAM发表“生态标记(ECO Mark)”与Toshiba签署半导体特许商户许可证及供应合同
与SanDisk就特许商户许可证合同达成协议及签署关于对x4技术建立合作公司的谅解备忘录(MOU)金钟甲就任新任 代表理事、社长
01月开发出以“晶圆级封装(Wafer Level Package)”技术为基础的超高速存储器模块
2006年创下最高业绩及利润
2006年12月业界最先发表60nm 1Gb DDR2 800MHz基础模块，开发出世界最高速200MHz 512Mb Mobile DRAM
10月创下创立以来最高业绩，通过海力士ST半导体(株)的竣工，构建国际性生产网络
09月300mm研究生产线下线
03月业界最先获得英特尔对80nm 512Mb DDR2 DRAM的产品认证
01月发表与M-Systems公司的DOC H3共同开发计划(闪存驱动器内置的新型DiskOnChip)
2005年12月 世界最先开发512Mb GDDR4、业界最高速度及最高密度Graphics DRAM
11月 业界最先推出JEDEC标准8GB DDR2 R-DIMM
07月 提前从企业重组完善协议中抽身而出
04月 海力士-意法半导体有限公司在中国江苏无锡举行开工典礼
01月 与中国台湾茂德科技签订战略性合作伙伴协议
2004年11月 与意法半导体公司(STMicroelectronics)签订关于在中国合资建厂的协议
08月 与中国江苏省无锡市签订关于在中国建厂合作协议
07月 获得公司成立以来最大的季度营业利润
06月 签订非内存事业营业权转让协议
03月 行业首次开发超高速DDR SDRAM 550MHz 1G DDR2 SDRAM获得Intel的认证
02月 成功开发NAND闪存
2003年12月 宣布与PromMOS签署长期的战略性MOU
08月 宣布发表在DRAM行业的第一个1Gb DDR2问世。
07月 宣布在世界上首次发表DDR500
06月 512M DDR400产品在DRAM业内首次获得因特尔的认证
05月 采用0.10微米工艺技术投入生产，超低功率256Mb SDRAM投入批量生产
04月 宣布与STMicroelectronics公司签定协议合作生产NAND闪存
03月 发表世界上第一个商用级的mega-level FeRAM
10月 开发0.10微米、512MB DDR
08月 在世界上首次开发高密度大宽带256MB的DDR SDRAM
06月 在世界上首次将256MB的SDR SDRAM运用于高终端客户
03月 开发1G DDR DRAM模块
2001年08月 开发世界上速度最快的128MB DDR SDRAM
08月 完成与现代集团的最终分离
07月 剥离CDMA移动通信设备制造业务‘Hyundai Syscomm’
05月 剥离通信服务业务‘Hyundai CuriTel’
剥离网络业务‘Hyundai Networks’
03月 公司更名为“Hynix半导体有限公司”
2000年08月 剥离显示屏销售业务‘Hyundai Image Quest’
04月 剥离电子线路设计业务‘Hyundai Autonet’
1999年10月 合并LG半导体有限公司，成立现代半导体株式会社
03月 出售专业的半导体组装公司（ChipPAC）
1998年09月 开发64M的DDR SDRAM
1997年05月 在世界上首次开发1G SDRAM
1996年12月 公司股票上市
1989年11月 完成FAB III
09月 开发4M的DRAM
1988年11月 在欧洲当地设立公司（HEE）
01月 开发1M的DRAM
1986年06月 举行第一次员工文化展览会“Ami Carnical”
04月 设立半导体研究院
1985年10月 开始批量生产256K的DRAM
1984年09月 完成FAB II-A
1983年02月创立现代电子株式会社，公司概要展望商业领域主要历程可持续经营，持续经营报告书伦理经营，伦理经营宣言伦 理纲领组织介绍实践体系产业保安方针在线举报公司标志
2021年11月3日，韩国先驱报报道，业内人士周三表示，韩国前两大芯片制造商三星电子SK海力士预计将在11月8日最后期限前向美国政府提交其芯片业务信息。
2021年11月9日，韩联社发布消息，SK海力士向美国提交有关其芯片业务的信息，但隐瞒了一些被视为商业机密的关键数据。
SK海力士宣布，已于2021年12月30日圆满完成了收购英特尔NAND闪存及SSD业务案的第一阶段。
2022年1月24日，彭博援引韩国经济日报称，投行业内消息人士表示，芯片设计公司SiFive将进行2000亿韩元（1.67亿美元）新一轮融资，SK海力士将投1000亿韩元。
2022年2月，据 SK 海力士官方消息，SK 海力士今日宣布，公司已开发出具备计算功能的下一代内存半导体技术“PIM（processing-in-memory，内存中处理）”。
2022年5月16日，SK海力士·英特尔DMTM半导体 （大连）有限公司非易失性存储器项目在大连金普新区开工。
2022年10月23日，SK海力士向光刻机巨头ASML订购了下一代半导体设备 High-NA 极紫外光（EUV）曝光设备。韩国半导体制造商也在准备引进能够实现 2nm工艺的设备。
2024年1月25日，SK海力士在官网发布截至2023年12月31日的2023财年及第四季度财务报告。公司2023财年第四季度营收为11.3055万亿韩元，同比增加47%；净亏损为1.3795万亿韩元，同比减亏63%。
2013年9月4日下午3点半左右，无锡新区海力士公司的生产车间发生气体泄漏，引发车间屋顶排气管洗涤塔管道的保护层着火。无锡消防200多名官兵赶至现场扑救，截至当日18点，明火已全部扑灭。从车间疏散出人员中，1人受轻微外伤，另有10余人去医院进行呼吸道检查，均无大碍。火灾发生后，无锡市委主要领导作出批示，市政府和无锡新区领导第一时间赶赴现场组织开展灭火救援，市环保部门迅速组织对企业周边环境、空气质量情况进行检测。火灾原因仍在调查中。
2013年9月初发生在无锡新区SK海力士的一场大火已经过去了几个月，这场大火尽管没有人员伤亡，但其影响却很大，比如在国内芯片市场和保险市场方面。
12月19日，有险企人士向《每日经济新闻(微博)》记者透露，SK海力士大火报损约10亿美元，保险业估损将达9亿美元，这将是国内最大的一笔保险赔案。
据《中国保险报》此前报道，SK海力士5家承保公司中各自的份额分别为：现代保险占比50%，人保财险占比35%，大地保险、太平洋产险、乐爱金财险各占5%。
上述险企人士进一步介绍称，该案件各家保险公司基本上都办理了再保险，主要涉及的再保险公司包括：韩国再保险、瑞士再保险、慕尼黑再保险等，而这个案例会影响到直保和再保险财险公司的承保利润，同时也将会导致半导体行业来年费率以及再保险费率的上涨。
SK海力士大火的首席承保人是韩国现代财险，国内的人保财险和太平洋产险等13家公司都险都参与其中。SK海力士火灾的最终赔付金额已确认在9亿美元，这是国内保险史上的最大一笔理赔案。江苏省保监局保险财产保险监管处处长王雷介绍，现在的进展情况是正在运行之中，已经预付了大约3亿美金。13家大型保险公司都在为这起火灾承担赔付，这也将推高2014年企业财产险的相关保费。
2018年5月31日，中国反垄断机构对三星、海力士、美光位于北京、上海、深圳的办公室展开突然调查，三大巨头有碍公平竞争的行为以及部分企业的举报推动了中国反垄断机构发起此次调查。
根据美光、三星、海力士财报统计，2017财年，三家公司的半导体业务在中国营收分别为103.88亿美元、253.86亿美元、89.08亿美元，总计446.8亿美元，同比2016财年的321亿美元增长39.16%。
2021年6月23日，《科创板日报》消息SK海力士正寻求全面收购8英寸晶圆代工厂Key Foundry。
2021年12月22日，市场监管总局收到SK海力士株式会社收购英特尔公司部分业务案的经营者集中反垄断申报。经审查，市场监管总局决定附加限制性条件批准此项经营者集中。
2023年10月9日，韩国总统办公室经济首席秘书崔相穆在首尔龙山总统府举行记者会时表示，美国政府决定向三星电子和SK海力士在华工厂提供美国半导体设备，无需其它许可。
SK海力士2024年三季度运营利润7.03万亿韩元，分析师预期6.91万亿韩元。
2019年10月，2019福布斯全球数字经济100强榜发布，海力士位列第28位。
2020年5月13日，SK海力士名列2020福布斯全球企业2000强榜第296位。
2021年5月，SK海力士位列“2021福布斯全球企业2000强”第173位。
2021年9月23日，SK海力士位列2021年《亚洲品牌500强》排行榜第419位。
2022年2月14日，在韩国人最想入职的企业排行榜中，位列第10。
2022年，2022年《财富》世界500强排行榜排名第373位。
2022年12月9日，位列《2022胡润世界500强》第156位。
2023年8月，以34567（百万美元）营收，入选2023年《财富》世界500强排行榜，排名第437位。
SK海力士无锡投资公司已入股SiC晶圆厂商泰科天润，参与了其D轮融资，SK海力士无锡公司是SK海力士子公司。这是SK海力士在中国第一笔碳化硅相关项目的投资。
2022年12月27日，三星、SK、LG 等韩国大企业集团，在年底通常都会对组织架构进行调整，旗下公司的高管也进行相应的调整，以更好的适应市场形势，推动公司的发展。
SK 旗下的存储芯片制造商 SK 海力士，就进行了架构调整，团队数量在最近一次的调整中大幅减少，并任命年轻的管理者出任团队领导者。SK 海力士将团队数量削减了 20%-30%，例如此前需要 5 个团队的业务，已经削减到了 4 个。在管理层的调整方面，他们新提拔了多位 30-40 岁的年轻管理者，出任团队的领导。对于年龄较大的领导者，SK 海力士在此次的调整中也提供了退休补偿，但大部分拒绝了公司的补偿。
SK 海力士在组织架构调整中削减团队数量，并调整管理层，反映了当前全球半导体市场的不利局面，在三季度的营收与净利润双双大幅下滑之后，分析师预计 SK 海力士四季度可能会出现亏损，他们上一次出现季度运营亏损，还是在 2012 年的三季度，已有近 10 年的时间。