浸没式光刻技术是近年来提出的延伸193 nm光刻的关键技术。

根据瑞利判据，浸没式光刻机的分辨率R和焦深DOF由以下两式定义

其中，k1、k2 为工艺因子，n 为浸没液体的折射率，θ为光线最大入射角，λeff=λ/n 为有效曝光波长， NA 为数值孔径。可以看出，浸没 式光刻的分辨率较传统光刻缩小至1/n，相当于有效曝光波长缩小至1/n；相对于传统光刻技术，在θ相同的情况下，引入浸没光刻技术可以使焦深增大n倍。