更新时间：2024-08-17 10:05
Indiumantimonideblackxtl; Indium antimonide (99.99%-In) PURATREM; antimony; indium(+3) cation; stibanylidyneindium
锑化铟单晶(indium antimoningle crystal InSb)
共价键结合，有一定离子键成分。立方晶系闪锌矿型结构，晶格常数0.6478nm。密度5.775g/cm3。熔点525℃。为直接带隙半导体，室温禁带宽度0.18eV，本征载流子浓度1.1×1022/m3，本征电阻率6×10-4Ω·m，较纯晶体的电子和空穴迁移率为10和0.17m2/(V·s)。采用区域熔炼、直拉法制备。用于制作远红外光电探测器、霍耳器件和磁阻器件。
位错密度小于50个/平方厘米的单晶，以及纯度大于99.99999%的多晶，包括但不限于锭（棒）、块、片、靶材、颗粒、粉末、碎料等形态。