1991年，当选为中国科学院学部委员（院士）。

邹世昌于20世纪60年代负责国防重点任务甲种分离膜加工成形部分工作，对技术路线进行优选决策。20世纪70年代以后在离子束与固体相互作用以及离子束材料改性、合成、加工和分析等方面进行了系统的研究工作。独创用二氧化碳激光背面辐照获得了离子注入损伤的增强退火效应。用全离子注入技术研制成中国第一块120门砷化镓门阵列电路，用反应离子束加工成中国第一批闪光全息光栅。研究SOI材料并制成CMOS／SOI电路。发展了离子束增强沉积技术并合成了氮化硅、氮化钛薄膜。

根据2021年11月中国科学院上海微系统与信息技术研究所网站显示，邹世昌先后发表文章200多篇。

1988至1999期间，邹世昌和柳襄怀发起并组织了六届中日及六届中韩双边离子束研究学术讨论会，长期担任两个双边学术会议的中方主席和会议主席。

根据2021年11月中国科学院上海微系统与信息技术研究所网站显示，邹世昌先后获得国家发明一等奖和中国科学院自然科学、科技进步等14项奖励。

根据2021年11月中国科学院上海微系统与信息技术研究所网站显示，邹世昌先后培养博士生30多名。

2008年邹世昌被评为中国科学院研究生院杰出贡献教师。

邹世昌用行动演绎出老一辈科学家艰苦奋斗、刻苦攻关、团结协作、锲而不舍的精神，用他的人生轨迹诠释了新时期科学家敢为天下先、勇攀科学高峰的风范，为国家科技事业做出了突出贡献。（中国科学院上海微系统与信息技术研究所党委副书记、纪委书记张帆评）

邹世昌用自己的实际行动振兴中国微电子产业，为上海乃至中国集成电路产业的发展做出了突出贡献，也为集成电路领域培养了很多优秀人才。（基材料与集成器件实验室主任董业民评）

邹世昌立志于国家的科技进步和经济建设，是新中国培养的第一代知识分子和留苏学子。他不忘初心、牢记使命，充分发挥党员科学家的先锋模范作用，做出了诸多具有开创性和里程碑意义的杰出成就。他是中国国内离子束研究的先驱，他对提升中国在离子束领域的学术地位发挥了重要作用，为中国集成电路核心技术的发展奠定了坚实基础。（上海科技党建评）

2020年7月23日上午，中国科学院上海微系统与信息技术研究所在微时光党群工作室举行了邹世昌院士九十寿辰庆祝仪式。党委书记俞跃辉，党委副书记、纪委书记张帆，党政办公室主任罗琦，硅基材料与集成器件实验室主任董业民，离退休党总支书记贾建才以及邹世昌院士女儿邹家瑾，部分学生代表参加了活动。